PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DETECTOR DE GAS SILANO.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DETECTOR DE GAS SILANO PARTICULARMENTE PARA LA DETECCION DE BAJAS CONCENTRACIONES DE GAS SILANO.
COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA SE AÑADE SNO2 A UNA SOLUCION ACUOSA DE PTCL Y DESPUES DE DISPERSADO EL SNO2 SE CONGELA Y SECA BAJO VACIO LA MEZCLA RESULTANTE; SEGUNDA SE AÑADE A LA MEZCLA FORMADA UNA CANTIDAD DE SBOCL Y UN DISOLVENTE ORGANICO TRANSFORMANDO LA MEZCLA RESULTANTE EN UNA PASTA; TERCERA SE APLICA DICHA PASTA SOBRE UN AISLADOR ELECTRICO DOTADO DE ELECTRODOS Y SE SECA Y CALCINA DICHO AISLADOR REVESTIDO; Y POR ULTIMO SE EXPONE EL AISLADOR CALCINADO A UNA ATMOSFERA DE SILANO Y A CONTINUACION SE INTRODUCE EN EL AISLADOR RESULTANTE UN ELEMENTO CALEFACTOR PARA SU CALENTAMIENTO A LA TEMPERATURA DESEADA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: NOHMI BOSAI KOGYO CO., LTD..
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 7-3, KUDAN-MINAMI 4 CHOME CHIYODA-KU, TOKYO, JAPON.
Fecha de Solicitud: 28 de Agosto de 1984.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Julio de 1985.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G08B17/1 FISICA. › G08 SEÑALIZACION. › G08B SISTEMAS DE SEÑALIZACION O DE LLAMADA; TRANSMISORES TELEGRAFICOS DE ORDENES; SISTEMAS DE ALARMA. › G08B 17/00 Alarmas de incendio; Alarmas que reaccionan a una explosión. › Accionamiento por la presencia de humo o de gas.
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