PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. SE FORMA UNA RANURA ADYACENTE AL PERIMETRO DE LA REACCION ACTIVA DEL DISPOSITIVO HACIENDO UN CORTE POR MEDIO DE UN RAYO LASER QUE INCIDE EN ANGULO OBLICUO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE DICHA REGION ACTIVA.
SE ENSANCHA LA RANURA MEDIANTE MORDENTADO QUIMICO Y SE RECUBRE CON MATERIAL DIELECTRICO DE PASIVACION EN PELICULA DEPOSITADA A BAJA PRESION. DE APLICACION A PLACAS SEMICONDUCTORAS SOBRE LAS QUE SE FORMAN SIMULTANEAMENTE UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS Y EN DISPOSITIVOS DE VOLTAJE ELEVADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTINGHOUSE BRAKE & SIGNAL COMPANY LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: FOUNDRY LANE, CHIPPENHAM, WILTSHIRE,SN15 1RT, GRAN BRETAÑA.
Fecha de Solicitud: 16 de Julio de 1982.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 27 de Enero de 1983.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/268 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
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