UN DISPOSITIVO DE LASER DE INYECCION.
Un dispositivo de láser de inyección en el que el rayo láser puede ser movido en un plano sustancialmente paralelo a la unión p-n de inyección que está formada en un cuerpo semiconductor entre dos regiones semiconductoras de tipos de conductividad mutuamente opuestos y que se encuentra junto a una zona activa del cuerpo semiconductor,
comprendiendo el cuerpo semiconductor dos superficies laterales situadas en oposición entre las que se determina un resonador óptico y dos superficies principales situadas en oposición, principalmente paralelas a la unión p-n, que están provistas de regiones de contacto para hacer pasar una corriente a través de la unión p-n, estando una primera de dichas regiones de contacto dividida en dos regiones de contacto secundario con las que puede controlarse la distribución de corriente a través de la unión p-n.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: 29-EMMASINGEL, EINDHOVEN.
Fecha de Solicitud: 31 de Enero de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 4 de Mayo de 1979.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/101 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › Láseres provistos de medios para cambiar el origen o la dirección de la radiación emitida.
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