PROCEDIMIENTO PARA FORMAR SIMULTANEAMENTE UN CUERPO MONOCRISTALINO SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE VARIAS CAPAS DE MATERIAL SEMICONDUCTIVO DE DIFERENTES CONDUCTIVIDADES.
Procedimiento para formar simultáneamente un cuerpo monocristalino semiconductor compuesto de varias capas de material monocristalino,
semiconductivo de diferentes conductividades, separadas por una zona de transición en la cual al menos una de las capas es de material de conductividad N y baja resistividad, mediante deposición de vapor, el cual comprende las fases de disponer dentro de una cámara de reacción una chapa monocristalina semiconductora con una capa superficial de un material monocristalino semiconductivo de conductividad N y de escasa resistividad, adicionado de un elemento impuro, como antimonio, bismuto o mezclas de ambos, para comunicar esta resistividad a dicha capa; introducir en la citada cámara un vapor descomponible que contiene átomos semiconductivos y átomos de impureza activa para comunicar una gran resistividad prefijada a los átomos semiconductivos; y depositar tales átomos del vapor, para formar una capa monocristalina semiconductora de gran resistividadsobre la mencionada capa N poco resistente
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0273686.
Solicitante: MERCK & COMPANY INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Fecha de Solicitud: 23 de Diciembre de 1961.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 14 de Marzo de 1962.
Clasificación PCT:
- C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- H01L21/205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
Clasificación antigua:
- C30B25/02 C30B 25/00 […] › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- H01L21/205 H01L 21/00 […] › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
Patentes similares o relacionadas:
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO, del 4 de Junio de 2020, de UNIVERSIDAD DE CADIZ: Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) […]
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO, del 29 de Mayo de 2020, de UNIVERSIDAD DE CADIZ: Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto […]
Arquitectura de unidad de accionamiento que emplea conmutadores de nitruro de galio, del 5 de Junio de 2019, de OTIS ELEVATOR COMPANY: Una unidad de accionamiento para accionar un motor , comprendiendo la unidad de accionamiento : una placa de circuito impreso; un primer conmutador […]
Aparato de deposición química en fase de vapor con catalizador, del 22 de Enero de 2014, de Ulvac, Inc: Un aparato de deposición química catalítica en fase de vapor , que comprende: una cámara de reacción , una fuente de introducción de gas […]
Aparato para la formación de polímero de forma continua sobre superficies de metal por polimerización por plasma de CC, del 4 de Marzo de 2013, de LG ELECTRONICS INC.: Un aparato para la formación de polímero de forma continua por polimerización por plasma de CC, quecomprende:
una cámara de transporte que tiene un rodillo […]
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS SEMI-CONDUCTORES FLEXIBLES., del 16 de Diciembre de 2006, de VHF TECHNOLOGIES SA: Aparato para la producción continua de dispositivos semiconductores flexibles a través de la deposición de una pluralidad de capas de semiconductor sobre un substrato […]
SISTEMA PARA CARBURIZACION DE SILICIO., del 1 de Noviembre de 2005, de UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET: Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas […]
PROCEDIMIENTO CVD-PLASMA Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA SI:H MICROCRISTALINA., del 1 de Septiembre de 2003, de SCHOTT,GLAS: Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de […]