PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN SEMI-CONDUCTOR-RECTIFICADOR-TRANSISTOR, TIPO ALEADO.

Procedimiento de fabricación de un semiconductor-rectificador-transistor,

tipo aleado, caracterizado por comprender las etapas de preparar una plancha o lámina de metal de soporte de la forma y tamaño deseados; de preparar una plancha de metal inyector, de aproximadamente, la misma forma y tamaño de la plancha de soporte y de un volumen tal que, al fundirse sobre el metal de soporte y hacer que moje a éste, adopte, por efecto de la tensión superficial, una superficie convexamente curvada de la cara opuesta al metal de soporte; de calentar las dos planchas superpuestas en contacto, en vacío o en una atmósfera inerte, a una temperatura en la que el metal inyector se funda sobre el metal de soporte y lo moje; de permitir que el metal inyector se solidifique; de colocar el conjunto de las planchas ya unidas, en contacto con una "oblea" semi-conductora con la cara curvada del metal inyector de la estructura contra la "oblea"; y de tratar térmicamente, para alear el metal inyector con el metal de la "oblea", para formar un punto o perdigón inyector