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Inventos patentados en España en los últimos 60 años. Clasificación por categorías, empresas e inventores. Clasificación Internacional de Patentes CIP 2007.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductora...

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CIP: H01L, DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B 65 G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G 01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G 12 B 21/00; resistencias en general H 01 C; imanes, inductancias, transformadores H 01 F; condensadores en general H 01 G; dispositivos electrolíticos H 01 G 9/00; pilas, acumuladores H 01 M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H 01 P; conectadores de líneas, colectores de corriente H 01 R; dispositivos de emisión estimulada H 01 S; resonadores electromecánicos H 03 H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H 04 R; fuentes de luz eléctrica en general H 05 B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H 05 K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) [2]

Notas:
(1) La presente subclase cubre:
--los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados; [2]
--las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa; [2]
--los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar. [2]
(2) En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:
--"cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente. Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir los hilos de conexión; [2]
--"dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente"; [2]
--"dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales; [2]
--"parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo; [2]
--"contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado"; [2]
--"circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes; [2]
--"ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores. [2]
(3) En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés. [6]

Entorno:
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Notas
(1) Los procedimientos que implican una sola técnica, p. ej. secado, revestimiento, que está prevista en otra parte están clasificados en la clase correspondiente a esta técnica.
(2) Es importante tener en cuenta las notas que siguen a los títulos de la clase B 81 y de la subclase B 81 B relativas a "dispositivos de microestructura" y "sistemas de microestructura". [7]

Subcategorías:
H01L101/00: Circuitos integrados AIII BV [5] (0)
H01L21/00: Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos 31/00 a 49/00, o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C 23 C, C 30 B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G 03 F) [2] (6)
H01L23/00: Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (25/00 tiene prioridad) [2,5] (11)
H01L25/00: Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; conjuntos de células fotoeléctricas 31/042; generadores que utilizan células solares o paneles solares H 02 N 6/00; detalles de conjuntos de circuitos completos cubiertos por otra subclase, p. ej. detalles de receptores de televisión, ver la subclase correspondiente, p. ej. H 04 N; detalles de conjuntos de componentes eléctricos en general H 05 K) [2,5] (3)
H01L27/00: Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (procedimientos o aparatos adaptados a la fabricación o al tratamiento de éstos, o de sus partes constitutivas 21/70, 31/00 a 49/00; detalles 23/00, 29/00 a 49/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales 25/00; conjuntos de componentes eléctricos en general H 05 K) [2] Notas (1) En los grupos 27/01 a 27/26, salvo indicación en contra, una invención se clasifica en el último lugar apropiado. [2] (2) En el presente grupo, es deseable añadir el código de indexación del grupo 101:00. El código de indexación debe ser no enlazado. [5] (10)
H01L29/00: Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación, o bien condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (31/00 a 47/00, 51/00 tienen prioridad; procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas 21/00; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos 23/00; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; resistencias en general H 01 C; condensadores en general H 01 G) [2,6] (3)
H01L31/00: Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (51/00 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E 04 D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F 24 J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G 01 T 1/24, con detectores de resistencia G 01 T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G 01 T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G 02 B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G 21 H) [2,6] (6)
H01L33/00: Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz, p. ej. de rayos infrarrojos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G 02 B 6/42; láseres de semiconductor H 01 S 5/00 ; fuentes de luz electroluminiscentes H 05 B 33/00) [2] (0)
H01L35/00: Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; máquinas frigoríficas que utilizan efectos eléctricos o magnéticos F 25 B 21/00; termómetros que utilizan elementos termoeléctricos o termomagnéticos G 01 K 7/00; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G 21 H) [2] (4)
H01L37/00: Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; medida de la temperatura basada en la utilización de elementos termoeléctricos o termomagnéticos G 01 K 7/00; selección de materiales para la magnetografía, p. ej. para la escritura del punto de Curie, G 03 G 5/00) [2] (2)
H01L39/00: Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C 04 B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H 01 B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H 01 F; amplificadores que utilizan la superconductividad H 03 F 19/00) [2,4] (5)
H01L41/00: Elementos piezoeléctricos en general; Elementos electroestrictivos en general; Elementos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00) [2] (5)
H01L43/00: Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común 27/00; dispositivos con barrera de potencial o barrera de superficie controlados por variación de un campo magnético 29/82) [2] (5)
H01L45/00: Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad 39/00; dispositivos piezoeléctricos 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen 47/00) [2] (1)
H01L47/00: Dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen, p. ej. dispositivos de efecto Gunn; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00) [2] (1)
H01L49/00: Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos 27/00 a 47/00, y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componente de estado sólido formados en o sobre un sustrato común 27/00) [2] (1)
H01L51/00: Dispositivos de estado sólido adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación, o bien condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, y que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos para el tratamiento de cuerpos semiconductores inorgánicos sobre los cuales se forman o tratan capas orgánicas 21/00, 21/312, 21/47) [6] (4)

Inventos patentados en esta categoría