CIP-2021 : C23C 16/24 : Deposición solamente de silicio.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/24 · · Deposición solamente de silicio.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la precipitación de un revestimiento in situ sobre componentes de un reactor de lecho fluidizado sometidos a carga térmica y química para la producción de polisilicio altamente puro.
(04/09/2019). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PEDRON,SIMON.
Procedimiento para el revestimiento de componentes sometidos a carga térmica y química de un reactor de lecho fluidizado para la producción de granulado de polisilicio altamente puro, en el que el reactor de lecho fluidizado exento de material a granel se lava con una mezcla gaseosa reactiva a una temperatura media de pared de tubo de 600 a 1400°C durante un intervalo de tiempo de 1 h a 8 días y a una presión de 1 a 15 bar (bar abs), y de este modo se dotan las superficies del reactor, que presentan una temperatura de más de 600ºC, de un revestimiento in situ de Si y/o Si3N4, a través de un procedimiento CVD.
PDF original: ES-2750843_T3.pdf
Procedimiento de producción de partículas de carbono revestidas y su uso en materiales anódicos para baterías de ion litio.
(21/12/2018). Solicitante/s: Litarion GmbH. Inventor/es: REEKEN, BURKHARD, PETRAT,FRANK-MARTIN, BUQA,HILMI, HOLZAPFEL,MICHAEL, WIGGERS,HARTMUT, NOVÁK,PETR.
Un procedimiento para producir partículas de carbono revestidas, caracterizado por que las partículas de carbono eléctricamente conductoras se revisten con silicio elemental dopado o sin dopar en un espacio de reacción mediante deposición química de vapor de al menos un silano gaseoso en una atmósfera gaseosa sin oxígeno, en el que las partículas de carbono eléctricamente conductoras están constantemente en movimiento durante la deposición de vapor y en el que se usan partículas de carbono que tienen un área superficial BET de 5 a 700 m²/g.
PDF original: ES-2694499_T3.pdf
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(11/09/2018) Procedimiento para la producción de silicio policristalino, en el que se precipita silicio policristalino sobre cuerpos soporte calentados mediante paso de corriente directo, con lo cual se generan varas de silicio policristalinas, manteniéndose los cuerpos soporte en una placa de fondo de un reactor y abasteciéndose éstos de corriente a través de electrodos, concluyéndose la precipitación de silicio policristalino cuando las varas de silicio policristalinas han alcanzado un diámetro final deseado, eliminándose a continuación las varas de silicio policristalinas del reactor y equipándose el reactor con nuevos cuerpos soporte para generar otras varas de silicio policristalinas, limpiándose la placa de fondo del…
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,REINER, KERSCHER,MICHAEL, SANDNER,ARMIN.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.
PDF original: ES-2677489_T3.pdf
NANOTUBOS DE CARBONO DE PARED MULTIPLE (MWCNT) PARA ADSORCION DE HIDROGENO, METODO DE OBTENCION Y METODO DE PURIFICACION.
(14/09/2017). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CHILE. Inventor/es: MOSQUERA VARGAS,Edgar Eduardo, MOREL ESCOBAR,Mauricio, CARVAJAL HERRERA,Nicolas Antonio, TAMAYO CALDERON,Rocio Maria, CABRERA PAPAMIJA,Gerardo.
La presente invención se refiere a nanotubos de carbono de pared múltiple (MWCNT de sus siglas en inglés, Multi-Wall Carbon Nanotubes) para adsorción de hidrógeno molecular, método de obtención de los nanotubos por técnica de deposición química en fase vapor asistida por aerosol (AACVD, de sus siglas en inglés, Aerosol Assisted Chemical Vapor Deposition) utilizando como catalizador mineral magnetita con una pureza >85%, y método de purificación de dichos nanotubos obtenidos para incrementar su capacidad de adsorción de hidrógeno.
Puntos de conexión de mandril y puente para filamentos de tubo en un reactor de deposición química de vapor.
(10/05/2017). Solicitante/s: GTAT Corporation. Inventor/es: GUM,JEFFREY C, BALLENGER,KEITH, CHARTIER,CARL, SCHWEYEN,ANDY.
Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende:
al menos un primer filamento de tubo que tiene extremos primero y segundo, configurado el filamento de tubo para transportar una corriente eléctrica;
una semilla unida al primer extremo del filamento de tubo;
un mandril conectado a al menos la semilla , en el que el mandril está formado con un saliente que corresponde a una ranura de la semilla , de tal manera que el mandril está conectado eléctricamente al filamento de tubo;
al menos un segundo filamento de tubo, teniendo dicho segundo filamento de tubo extremos primero y segundo, estando cada filamento de tubo conectado a una semilla y un mandril respectivos; y
un puente que conecta los filamentos primero y segundo de tubo, en el que el puente comprende una pluralidad de rebajes , para aplicarse cada uno de los rebajes a uno de los extremos primeros de los filamentos primero y segundo de tubo.
PDF original: ES-2636966_T3.pdf
Vara de silicio policristalina y procedimiento para su producción.
(12/04/2017). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WEBER, MARTIN, KRAUS, HEINZ, PECH,REINER, DORNBERGER,ERICH, KERSCHER,MICHAEL.
Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al menos dos zonas B y C subsiguientes, que se diferencian en su porosidad en un factor de 1,7 a 23, siendo la zona C externa menos porosa que la zona B.
PDF original: ES-2626554_T3.pdf
Reactor para la producción de silicio policristalino y procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de tal reactor.
(23/03/2016) Procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de un reactor, tratándose, en el caso del reactor, de un reactor de lecho turbulento para producir granulado de silicio policristalino mediante precipitación de de silicio policristalino sobre las partículas de silicio añadidas al reactor, eliminándose el depósito mecánicamente por medio de partículas puntiagudas que contienen silicio y efectuándose la eliminación del depósito mientras que el reactor está en funcionamiento, es decir, mientras se produce granulado de silicio policristalino, caracterizado por que, en el caso del componente del reactor en el que se elimina el depósito, se trata de un tubo de gas de escape, y las partículas que contienen silicio se alimentan por…
Granulado de silicio policristalino y su obtención.
(24/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WEIDHAUS,DIETER, Hauswirth,Rainer, Hertlein,Harald.
Granulado de silicio policristalino, que comprende una matriz compacta y una capa superficial que contiene cristalitas aciculares, dispuestas en paralelo.
PDF original: ES-2561028_T3.pdf
Procedimiento para la determinación de una impureza de superficie de silicio policristalino.
(23/02/2016) Procedimiento para la determinación de una impureza en superficie de silicio policristalino, que comprende las etapas
a) proporcionar dos varillas de silicio policristalino mediante separación en un reactor Siemens;
b) impurezas con carbono y sustancias de dopaje en la primera de las dos varillas se determinan inmediatamente después de la separación, en donde de esta varilla se separa un disco y se utiliza para la determinación de la concentración de carbono mediante FTIR, en donde una varilla que permanece después de la separación del disco de esta varilla se transforma, mediante FZ, en una varilla monocristalina, en donde en un disco…
Disposición para la separación de gases y su aplicación.
(27/05/2015) Disposición para la separación de gases para instalaciones de recubrimiento en vacío con varias zonas de proceso, en particular en instalaciones-CVD para el recubrimiento y dotación de sustratos planos y/o en forma de cinta, con un túnel plano que rodea el sustrato y que se extiende a través de una cámara de separación, en el que están dispuestas dos instalaciones de desviación para la conducción del sustrato a una distancia predeterminada entre sí, de tal manera que las instalaciones de desviación estrechan la sección transversal del túnel, en la que el túnel está provisto con conductos de entrada y de salida de gas, caracterizada por que entre las instalaciones de desviación (4, 4') y junto a éstas está dispuesta en cada cado una entrada de gas (9, 9') y en el centro entre…
Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio.
(15/10/2014) Un método de depósito de una película de silicio amorfo (-Si:H) o de una película de silicio microcristalino (-CSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, que utiliza
silano;
hidrógeno;
al menos un aditivo escogido entre:
(a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano Si2H6, trisilano Si3H8, tetrasilano Si4H10, pentasilano Si5H12, hexasilano Si6H14, heptasilano Si7H16, octasilano Si8H18, nonasilano Si9H20, decasilano Si10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 donde x es de 2 a 20 y mezclas de ellos;
(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil15 trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano…
Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo texturizado cristalográficamente, célula y módulo fotovoltaico que comprenden un dispositivo de este tipo, y procedimiento de depósito de capas finas.
(03/09/2014) Sustrato metálico texturizado cristalográficamente que comprende una superficie de conexión y una superficie destinada a recibir un depósito de capa fina, estando dicho sustrato metálico texturizado cristalográficamente constituido por una aleación que presenta un sistema cristalino cúbico de caras centradas y una textura cristalográfica en cubo {100} mayoritaria, comprendiendo la superficie destinada a recibir el depósito de capa fina unos granos que presentan mayoritariamente unos planos cristalográficos {100} paralelos a la superficie destinada a recibir un depósito de capa fina,
caracterizado por…
Aparato para deposición química de vapor por filamento caliente.
(30/10/2013) Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende
una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida,
un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento,
en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas,
caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de gas a lo largo de una longitud.
Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas exentas de fisuras.
(26/03/2013) Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas mediante deposición desde la fase gaseosa junto a una barra delgada, caracterizado porque en una zona situada a lo sumo a 20 mm por debajo de una punta de electrodo hasta por debajo del puente de un par de barras se introducen uno o varios discos, que se componen de un material, que en las condiciones de deposición posee una resistencia eléctrica específica más baja que la del silicio policristalino.
PROCEDIMIENTO Y SISTEMA DE DEPÓSITO DE UN METAL O METALOIDE SOBRE NANOTUBOS DE CARBONO.
(14/11/2011) Procedimiento de deposición de un metal o metaloide sobre nanotubos de carbono (NTC) caracterizado porque comprende: -la homogenización de un polvo de NTC en un reactor, -la deposición sobre este polvo homogéneo de NTC del dicho metal, escogido entre estaño, aluminio o cobre, o del dicho metaloide, escogido entre silicio, boro y germanio; por medio de una técnica de deposición en fase de vapor operada en el interior de un reactor a partir de un precursor formado de un alquilo de ese metal o metaloide; la deposición en fase de vapor se realiza en el reactor a la presión atmosférica y a una temperatura inferior a 1000°C, estando el precursor inyectado…
BARRA DE SILICIO POLICRISTALINO PARA TRACCIÓN POR ZONAS Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCIÓN.
(10/02/2011) Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas es…
METODO PARA LLEVAR A CABO REACCIONES QUIMICAS HOMOGENEAS Y HETEROGENEAS USANDO PLASMA.
(03/05/2010) Un procedimiento para llevar a cabo reacciones químicas, que comprende alimentar el gas de reacción desde la fuente de gas de reacción a la cámara de reacción de vacío, formar una corriente supersónica de gas de reacción en ella, y activar dicha corriente supersónica de gas de reacción actuando sobre ella con un haz de electrones para generar plasma de haz de electrones, caracterizado porque dicha corriente supersónica de gas de reacción se forma de tal manera que se crea una zona de presión negativa en su porción central a la entrada de la cámara de reacción de vacío, teniendo dicha zona una densidad menor que la de las zonas adyacentes a ella, y la acción sobre la corriente supersónica de gas…
DEPOSICION DE UN SOLIDO POR DESCOMPOSICION TERMICA DE UNA SUSTANCIA GASEOSA EN UN REACTOR.
(16/10/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DEGUSSA AG. Inventor/es: SONNENSCHEIN, RAYMUND, DR..
Dispositivo para la deposición de un sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, caracterizado por un vaso , cuyo fondo está orientado en dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona de abertura contra la gravedad terrestre (g), el vaso puede calentarse directa o indirectamente mediante una unidad de calefacción, medición de temperatura y control, una unidad de alimentación de sustancias con conducción de sustancias y unidad de dosificación, en el que la unidad de alimentación de.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO EN FASE DE VACIO DE UN SUSTRATO.
(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.
La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.
PROCEDIMIENTO CVD-PLASMA Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA SI:H MICROCRISTALINA.
(01/09/2003). Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Inventor/es: BAUER, STEFAN, LOHMEYER, MANFRED, DANIELZIK, BURKHARD, MIHL, WOLFGANG, FREITAG, NINA.
Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.
PROCESO PARA FORMAR UN DEPOSITO CONTENIENDO SILICO EN LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO METALICO, PROCESO DE TRATAMIENTO ANTICORROSION, Y SOPORTE POLIMERO METALIZADO.
(16/11/1996). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: SLOOTMAN, FRANK, BOUARD, PASCAL.
LA INVENCION CONCIERNE A UN PROCESO PARA FORMAR UN DEPOSITO CONTENIENDO SILICIO EN LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO METALICO SEGUN EL CUAL SE PONE EN MARCHA, CONCOMITANTEMENTE O SUCESIVAMENTE, LAS ETAPAS SIGUIENTES: LA SUMISION DE LA DICHA SUPERFICIE A UNA DESCARGA ELECTRICA CON BARRERA DIELECTRICA; LA EXPOSICION DE LA DICHA SUPERFICIE A UNA ATMOSFERA QUE COMPORTA UN COMPUESTO DE SILICIO EN EL ESTADO GASEOSO, LAS ETAPAS Y SON EFECTUADAS A UNA PRESION SUPERIOR A 10.000 PA. LA INVENCION CONCIERNE IGUALMENTE A UN PROCESO DE TRATAMIENTO ANTICORROSION DE SUBSTRATO METALICO, ASI COMO UN SOPORTE POLIMERO METALIZADO.
MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION Y DOPANTES, UTILES EN LA FABRICACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(01/09/1995) COMPUESTOS QUE TIENEN LA FORMULA (MX3)NM'X4-N, EN LA QUE M Y M' SON ATOMOS DIFERENTES DEL GRUPO 4A, POR LO MENOS UNO DE M Y M' ES SILICIO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS, Y N ES UN ENTERO ENTRE 1 Y 4 INCLUSIVE, SON UTILES COMO MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION EN LA FORMACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO, EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS ELECTRONICAMENTE ACTIVOS. DOPANTES QUE TIENEN LA FORMULA (SIX3)MLX3-M, EN LA QUE L ES UN ATOMO DEL GRUPO 5A, ELEGIDO DEL GRUPO DE FOSFORO, ARSENICO, ANTIMONIO Y BISMUTO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS…
PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA.
(16/08/1994) COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: (A) LA PREPARACION DE UN SUSTRATO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA MEDIANTE LA IRRADIACION SELECTIVA DE LA SUPERFICIE DE UN MIEMBRO DE BASE CON UN HAZ DE ENERGIA DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA O UN HAZ DE ELECTRONES A TRAVES DE UNA ATMOSFERA DE UN GAS REACTIVO PARA CONSEGUIR REGIONES DONDE LOS NUCLEOS DE CRISTAL SE FORMAN SELECTIVAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE; (B) FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE DICHO SUSTRATO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESPECIES ACTIVADAS (A) FORMADAS POR DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO (SX) CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNAS ESPECIES ACTIVADAS (B) FORMADAS DE UNA SUSTANCIA QUIMICA (B) PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES MUTUA Y QUIMICAMENTE REACTIVA CON LAS ESPECIES (A) EN EL INTERIOR DEL ESPACIO FORMADO EN LA PELICULA, EN EL CUAL DICHO SUSTRATRO ES DISPUESTO…
PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA.
(01/11/1993) UN PROCESO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA QUE COMPRENDE (A) LA ETAPA DE COMPOSICION DE UN SUSTRATO, TENIENDO UNA PARTE QUE COMPRENDE UN MATERIAL QUE FORMARA EL NUCLEO DE CRISTAL PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA O UN MATERIAL CAPAZ DE LA FORMACION SELECTIVA DE DICHO NUCLEO DE CRISTAL SOBRE EL ESPACIO FORMADO DE LA PELICULA PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA EN (B), LA ETAPA DE FORMACION DE LA PELICULA INTRODUCIENDO UNA ESPECIE ACTIVA (A) FORMADA MEDIANTE DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO, CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNA ESPECIE ACTIVADA (B), FORMADA DE UNA SUSTANCIA QUIMICA PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES REACTIVA MUTUA Y QUIMICAMENTE CON DICHA ESPECIE ACTIVA (A) SEPARADAMENTE DE UNA Y OTRA, SOBRE DICHO ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA…
METODO PARA FORMAR UN DEPOSITO DE MEMBRANA.
(16/04/1993). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAITOH, KEISHI, HIROOKA, MASAAKI, HANNA, JUN-ICHI, SHIMIZU, ISAMU.
UN METODO PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA POR INTRODUCCION DE UN MATERIAL INICIAL GASEOSO PARA FORMACION DE UNA MEMBRANA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE HALOGENO GASEOSO QUE TIENE LA PROPIEDAD DE LA ACCION DE OXIDACION SOBRE LOS MATERIALES INICIALES, SEPARADAMENTE DESDE CADA UNO, EN UN ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA DE ACUERDO CON LA REACCION QUIMICA, LA CUAL INCLUYE PREVIAMENTE LA ACTIVACION DE UNA SUSTANCIA GASEOSA (B) PARA LA FORMACION DE UN CONTROLADOR DE BANDA ABIERTA EN UN ESPACIO DE ACTIVACION PARA FORMAR UNA ESPECIA ACTIVADA E INTRODUCCION DE LA ESPECIE ACTIVADA, DENTRO DEL ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA, CONTROLADA EN BANDA ABIERTA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA MEMBRANA, FORMANDO UN ESPACIO.
UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO.
(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: SHARP, KENNETH, GEORGE, D\'ERRICO, JOHN JOSEPH.
UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR PELICULAS DE SILICIO, AMORFAS, FOTOCONDUCTORAS Y SEMICONDUCTORAS MEDIANTE LA DESCOMPOSICION TERMICA, EN FASE DE VAPOR, DE UN FLUORHIDRUROSILANO O UNA MEZCLA DE FLUORHIDRUROSILANOS. LA INVENCION TIENE UTILIDAD PARA PROTEGER SUPERFICIES, INCLUYENDO LAS DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE MEJORADA.
(01/02/1983). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE DE UN MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR; SEGUNDA, AL CITADO MATERIAL SE LE AÑADE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA; Y POR ULTIMO, LA REACCION DE LA COMPOSICION FORMADA QUE CONTIENE SILICIO, PROVOCADA POR LA DEPOSICION A VACIO, ES CONTROLADA HASTA LA OBTENCION DE LA ALEACION BUSCADA. DE APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTORRECEPTORES, EN MEDIOS FOTOCONDUCTORES Y EN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE MEJORADA.
(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE EL DEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO; PORQUE INCORPORA UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DEL CITADO MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO CON UNA DEPOSICION A VACIO, CON LA CONDICION DE QUE SE HA DE INTRODUCIR POR LO MENOS UN ELEMENTO DE INCREMENTO DE INTERVALO DE BANDA; PORQUE DICHO ELEMENTO DE INCREMENTO ES CARBONO O NITROGENO; PORQUE LA DEPOSICION A VACIO PUEDE SER UNA DEPOSICION CON VAPOR, UNA DEPOSICION DE CHISPA O UNA DEPOSICION MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE; Y PORQUE LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES Y FOTODIODOS.
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE MEJORADA.
(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE MEJORADA.
(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE GERMANIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS GERMANIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.
DISPOSITIVO AMORFO FOTOSENSIBLE DE CELULAS MULTIPLES MEJORADO.
(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
DISPOSITIVO DE CELULAS MULTIPLES DE ALEACION FOTOSENSIBLE QUE TIENE INTERVALOS DE BANDA HECHOS A MEDIDA PARA APLICACIONES DE FOTORESPUESTA ESPECIFICAS. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE POR LO MENOS DOS CELULAS, DE LAS CUALES UNA DE ELLAS INCLUYE UNA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS, PRESENTANDO UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA; PORQUE POR LO MENOS UNA DE LAS CAPAS PERTENECIENTES A LA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS TIENE UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA INCORPORADO EN ELLA, SIN AUMENTAR SUSTANCIALMENTE LOS ESTADOS EN DICHO INTERVALO; Y PORQUE DICHA CAPA DE ALEACION DE CELULA TIENE UN INTERVALO DE BANDA AJUSTADO PARA UNA FUNCION DE RESPUESTA A UNA LONGITUD DE ONDA ESPECIFICA, QUE ES DIFERENTE A LA CORRESPONDIENTE A LA OTRA U OTRAS CELULAS. DE APLICACION EN LA CONSTRUCCION DE FOTORECEPTORES, CELULAS SOLARES Y DISPOSITIVOS DE CONTROL DE CORRIENTE.
