UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION.

METODO DE ELABORACION Y DISEÑO DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. SOBRE UN SUBSTRATO

(18) DE SILICIO SE DEPOSITA UNA CAPA (17) DE IMPUREZAS TIPO P EPITAXIALMENTE; SOBRE ESTA SE DEPOSITA OTRA CAPA (4) DE IMPUREZAS TIPO N. LA SUPERFICIE (3) ES DOTADA DE UNA CAPA DE OXIDO, Y ATACADA ESTA QUIMICAMENTE SE FORMAN UNAS VENTANILLAS EN LAS QUE SE DIFUNDE MATERIAL TIPO P, OBTENIENDOSE LAS REGIONES QUE CONSTITUYEN LA CONEXION ENTRE LA ZONA DE ALIMENTACION Y EL SUSTRATO. LA REGION DE PUERTA (7) SE OBTIENE POR DIFUSION DE BORO EN UNA VENTANILLA ABIERTA EN LA CAPA DE OXIDO. ESTA ULTIMA ES ELIMINADA Y SUSTITUIDA POR OTRA CAPA DE OXIDO (9) LIMPIA, Y SOBRE UNAS ABERTURAS (10, 11) SE REALIZAN POR DIFUSION LA REGION DE ALIMENTACION (5) Y LA DE SALIDA (6). OTRAS ABERTURAS (12) SON EFECTUADAS EN LA CAPA DE OXIDO (9) SOBRE LA REGION DE PUERTA (7), Y SE RETIRA EL OXIDO DE LAS REGIONES P (8). SE DEPOSITA UNA CAPA DE METALIZACION Y POR ATAQUE QUIMICO ENMASCARADO, SE FORMAN LAS ZONAS METALICAS DE CONEXION (13, 14, 15). UNA METALIZACION (16) DEL LADO INFERIOR FINALIZA EL PROCESO. EL TRANSISTOR ASI OBTENIDO TIENE UNA RELACION CUADRATICA ENTRE LA CORRIENTE DE CANAL Y LA TENSION DE PUERTA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Dirección: PIETER ZEEMANSTRAAT 6,EINDHOVEN.

Fecha de Solicitud: 27 de Mayo de 1980.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Diciembre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/10 (con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más)
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