UN METODO BASADO EN OXIDO DE FABRICACION DE PELICULAS DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS RELACIONADOS.

Un procedimiento para formar una lámina compuesta incluye las etapas de preparación de un material fuente

, depositar el material fuente sobre una base y formar una lámina de preparación a partir del material fuente, calentar la lámina de preparación en una atmósfera adecuada para formar una lámina precursora, y proporcionar el material adecuado para dicha lámina precursora para formar la lámina compuesta. El material fuente incluye partículas que contienen óxido de elementos de los grupos IB y IIIA. La lámina precursora incluye elementos que no son óxidos de los grupos IB y IIIA. La lámina compuesta incluye un compuesto del grupo IB-IIIA-VIA. Los óxidos pueden constituir más del 95% molar de elementos del grupo IB y más del 95% molar de elementos del grupo IIIA en el material fuente. De manera similar, los compuestos que no son óxidos pueden constituir más del 95% molar de elementos del grupo IB y más del 95% molar de elementos del grupo IIIA en la lámina precursora. La relación molar entrelos elementos del grupo IB y los del grupo IIIA en el material fuente puede ser mayor de aproximadamente 0,6 y menor de aproximadamente 1,0, o sustancialmente mayor de 1,0, en cuyo caso esta relación en la lámina compuesta se puede reducir a mayor de aproximadamente 0,6 y menor de aproximadamente 1,0. Se puede preparar el material fuente como una tinta a partir de partículas pulverulentas. Las partículas que contienen óxido pueden incluir un dopante, como también la lámina compuesta. Las láminas compuestas que incluyen un compuesto del grupo IIB-IVA-VA pueden sustituirse utilizando las sustituciones adecuadas según el procedimiento. También puede aplicarse el procedimiento para fabricar celdas solares y otros dispositivos electrónicos.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL SOLAR ELECTRIC TECHNOLOGY, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 8635 AVIATION BOULEVARD,INGLEWOOD, CA 90301.

Inventor/es: KAPUR,VIJAY K.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, BASOL,BULENT M.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, LEIDHOLM,CRAIG R.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, ROE,ROBERT A.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 30 de Junio de 1999.

Fecha Concesión Europea: 15 de Agosto de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/032 (comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/04 (adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0336 (en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/365 (utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > QUIMICA INORGANICA > ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos... > C01B19/00 (Selenio; Teluro; Sus compuestos)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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