UN METODO BASADO EN OXIDO DE FABRICACION DE PELICULAS DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS RELACIONADOS.

Un método para formar una película compuesta (29) del Grupo IB-IIIA-VIA o del Grupo IIB-IVA-Va,

que comprende los pasos de: #(a) preparar una material fuente (23) que incluye partículas que contienen al menos un elemento del Grupo IB y al menos un elemento del Grupo IIIA en forma de óxido, para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA, o al menos un elemento del Grupo IIB y al menos un elemento del Grupo IVA en forma de óxido, para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA; #(b) depositar dicho material fuente sobre una base y formar una película preparatoria (25) a partir de dicho material fuente (23); #(c) calentar dicha película preparatoria (25) en una atmósfera adecuada que proporciona la reducción de óxido para formar una película precursora (27) que incluye no-óxidos de elementos del Grupo IB y IIIA para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA o elementos no óxidos del Grupo IIB e IVA para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA, donde dicha atmósfera adecuada no contiene esencialmente ninguno de los elementos del Grupo VIA para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA y ninguno de los elementos del Grupo VA para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA; y #(d) tras la formación de dicha película precursora (27), proporcionar el material adecuado para dicha película precursora (27) para formar una película (29) que incluye un compuesto seleccionado entre un compuesto del Grupo IB- IIIA-VIA o un compuesto del Grupo IIB-IVA-VA, donde para dicho compuesto del Grupo IB-IIIA-VIA se proporciona una fuente del Grupo VIA, y para dicho compuesto del Grupo IIB-IVA-VA se proporciona una fuente del Grupo VA, a partir de una atmósfera gaseosa con calentamiento o por deposición con calentamiento.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL SOLAR ELECTRIC TECHNOLOGY, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 8950 LURLINE AVENUE,CHATSWORTH, CA 91311.

Inventor/es: KAPUR,VIJAY K, BASOL,BULENT M, LEIDHOLM,CRAIG R, ROE,ROBERT A.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 30 de Junio de 1999.

Fecha Concesión Europea: 29 de Abril de 2009.

Clasificación PCT:

  • H01L31/032 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Finlandia.

UN METODO BASADO EN OXIDO DE FABRICACION DE PELICULAS DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS RELACIONADOS.

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