TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.

Transistor con efecto de campo, particularmente un transistor con efecto de campo de unión

(JEFT) con geometría sustancialmente vertical, en el que el transistor comprende un substrato planar (1) de material no conductor, una capa (2) de material conductor que comprende un primer electrodo incluido en el substrato (1), una capa (3a) de material aislante que forma un primer aislante que se encuentra sobre el primer electrodo (2), una capa de material conductor (4) que forma un segundo electrodo que se encuentra sobre el primer aislante (3a), otra capa (3b) de material aislante que forma un segundo aislante que se encuentra sobre el segundo electrodo (4), una capa (5) de material conductor que forma un tercer electrodo sobre el segundo aislante (3b), comprendiendo los citados primero (2) y tercer electrodos (5) respectivamente el electrodo de vaciado y el de origen del transistor o viceversa, y el citado segundo electrodo (4) el electrodo de compuerta del transistor, por lo menos los citados segundo electrodo (4) y el citado tercer electrodo (5), y los citados primero (3a) y segundo aislante (3b) con sus respectivas capas en configuración apilada formando un escalón (6) orientado en vertical respecto al citado primer electrodo (2) y/o el mencionado substrato (1), y un material semiconductor (8) que realiza el semiconductor activo del transistor que se proporciona sobre la parte expuesta del mencionado primer electrodo (2), el mencionado segundo electrodo (4) y el mencionado tercer electrodo (5), contactando el citado semiconductor activo (8) con el electrodo de compuerta (4) directamente y formando un canal de transistor de orientación sustancialmente vertical (9) entre los citados electrodos primero (2) y tercero (5).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: BERGGREN, ROLF, MAGNUS, GUSTAFSSON, BENGT, GIRAN, KARLSSON, JOHAN, ROGER, AXEL.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 14 de Enero de 1999.

Fecha Concesión Europea: 7 de Agosto de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/772 (Transistores de efecto de campo)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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