TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE CON TENSION DE RUPTURA INCREMENTADA.

TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO (1) CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA

(2) DE OXIDO SOBRE DICHA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA (3) DE SILICIO, CON UN PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE LA CAPA DE OXIDO (2), UNA ZONA DE BASE (4), CON UN SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3), UNA ZONA DE EMISOR (5), CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA ZONA DE BASE (4), UNA ZONA DE COLECTOR (6), CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3) A UNA DISTANCIA LATERAL DE LA ZONA DE BASE (4), UNA ZONA DE TERMINALES (8), CON EL SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3) HASTA UNA CAPA DE OXIDO (2) EN EL LADO OPUESTO DE LA ZONA DE EMISOR (5) RESPECTO A LA ZONA DE COLECTOR (6), UNA PARTE (8') DE LA ZONA DE TERMINALES (8) QUE SE EXTIENDE LATERALMENTE A LO LARGO DE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE OXIDO (2), BAJO, AL MENOS, PARTE DE LA ZONA DE EMISOR (5), HACIA LA ZONA DE COLECTOR (6) A UNA DISTANCIA DE LA ZONA DE BASE (4), ESTANDO LA ZONA DE TERMINALES CONECTADA ELECTRICAMENTE A LA ZONA DE BASE (4).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON.

Nacionalidad solicitante: Suecia.

Dirección: ,126 25 STOCKHOLM.

Inventor/es: LITWIN, ANDREJ, ARNBORG, TORKEL.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 9 de Abril de 1996.

Fecha Concesión Europea: 10 de Julio de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/58 (Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/73 (Transistores bipolares de unión)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes... > H01L27/12 (el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante)

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE CON TENSION DE RUPTURA INCREMENTADA.