REVESTIMIENTOS HERMETICOS DE UN SUSTRATO EN UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE.

LA INVENCION ACTUAL SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UNA CAPA CERAMICA O TIPO CERAMICA EN UN SUSTRATO CON AUSENCIA DE OXIGENO. EL METODO COMPRENDE EL RECUBRIMIENTO DEL SUSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN DISOLVENTE Y UNO O MAS MATERIALES PRECERAMICOS SELECCIONADOS ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO E HIDROLIZADO O PARCIALMENTE HIDROLIZADO RXSI

(OR)4-X DONDE R SE SELECCIONA INDEPENDIENTEMENTE DEL GRUPO QUE CONSTA DE ALCALI, ARIL Y DE HIDROCARBUROS NO SATURADOS Y X ES 0-2. EL DISOLVENTE SE EVAPORA Y ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA PRECERAMICA EN EL SUSTRATO. ESTA CAPA SE CERAMIFICA CALENTANDO EL SUSTRATO RECUBIERTO A UNA TEMPERATURA QUE OSCILA ENTRE 500 A 1000 C, BAJO UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE PARA PRODUCIR UNA CAPA CERAMICA O DE TIPO CERAMICA SOBRE EL SUSTRATO. EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION ES UTIL PARA FORMAR CAPAS DE PROTECCION EN CUALQUIER SUSTRATO PROPENSO A OXIDACION A LA TEMPERATURA NECESARIA PARA CERAMIFICACION. LA INVENCION ACTUAL SE REFIERE TAMBIEN A LA FORMACION DE CAPAS ADICIONALES CERAMICAS SOBRE LA CAPA CERAMICA O DE TIPO CERAMICA ANTES MENCIONADA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD,MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.

Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 10 de Abril de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/29 (caracterizados por el material)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/56 (Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos)
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