PROCESO PARA LA FORMACION DE DEPOSITOS DE GETTER MINIATURIZADOS Y LOS DEPOSITOS DE GETTER OBTENIDOS DE ESE MODO.

Un proceso de lift-off para la formación de depósitos de getter miniaturizados

(131, 131'', etc.; 20) que comprende los siguientes pasos: formación de una capa de material polimérico fotosensible (11) sobre un soporte (10); exposición selectiva a la luz de por lo menos una parte de la capa polimérica a fin de provocar una reacción química en dicha parte de la capa polimérica; eliminación con un primer disolvente de sólo una parte entre la expuesta previamente o la no expuesta previamente de la capa polimérica, formando en dicha capa polimérica por lo menos una cavidad (12, 12'', etc.) cuya pared inferior esté formada por la superficie del soporte; formación mediante una deposición catódica de una capa fina (13) de un material getter en la parte inferior de dicha cavidad y sobre la parte de la capa de polímero que no ha sido eliminada por el primer disolvente, y eliminar con un segundo disolvente dicha parte de polímero que no ha sido eliminada por el primer disolvente, dejando por lo menos un depósito de material getter (131, 131'', ...; 20) sobre la superficie de soporte; dicho proceso se caracteriza por el hecho de que la operación de deposición catódica no va precedida por operaciones o tratamientos para la formación de rebajos en la parte interior de la capa polimérica, y que dicha operación de deposición catódica se lleva a cabo en una presión de cámara comprendida entre 1 y 5 Pa y con una potencia específica comprendida entre 6 y 13 W por centímetro cuadrado de área del objetivo realmente alterado por el plasma.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SAES GETTERS S.P.A..

Nacionalidad solicitante: Italia.

Dirección: VIA ITALIA, 77,I-20020 LAINATE.

Inventor/es: CONTE, ANDREA, MORAJA, MARCO, GUADAGNUOLO,SARA.

Fecha de Publicación: .

Clasificación PCT:

  • SECCION G — FISICA > FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE... > PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS,... > Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica,... > G03F7/004 (Materiales fotosensibles (G03F 7/12, G03F 7/14 tienen prioridad))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/027 (Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 ó H01L 21/34)
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