PROCEDIMIENTOS PARA GRABAR UNA CAPA QUE CONTIENE ALUMINIO.

Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas

, estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende: proporcionar una cámara de tratamiento con plasma; posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; hacer fluir una fuente gaseosa grabadora que comprende HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene oxígeno, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; en la que un caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es menos del 20 por ciento de un caudal de flujo total de dicha fuente gaseosa grabadora, y en la que dicha fuente gaseosa grabadora está substancialmente libre de BCl3; ignición de un plasma de dicha fuente gaseosa grabadora, en la que dicho plasma se usa para grabar al menos parcialmente a través de dicha capa que contiene aluminio.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538.

Inventor/es: O\'DONNELL, ROBERT J.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 22 de Junio de 1999.

Fecha Concesión Europea: 15 de Diciembre de 2004.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > LEVANTAMIENTO NO MECANICO DE MATERIAL METALICO DE... > C23F4/00 (Procesos para el levantamiento de materiales metálicos de las superficies, no cubiertos por el grupo C23F 1/00 ó C23F 3/00)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/3213 (Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada)

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.

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