PROCEDIMIENTOS PARA GRABAR UNA CAPA QUE CONTIENE ALUMINIO.
Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas,
estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende: proporcionar una cámara de tratamiento con plasma; posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; hacer fluir una fuente gaseosa grabadora que comprende HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene oxígeno, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; en la que un caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es menos del 20 por ciento de un caudal de flujo total de dicha fuente gaseosa grabadora, y en la que dicha fuente gaseosa grabadora está substancialmente libre de BCl3; ignición de un plasma de dicha fuente gaseosa grabadora, en la que dicho plasma se usa para grabar al menos parcialmente a través de dicha capa que contiene aluminio.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538.
Inventor/es: O\'DONNELL, ROBERT J.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 22 de Junio de 1999.
Fecha Concesión Europea: 15 de Diciembre de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C23F4/00 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23F LEVANTAMIENTO NO MECANICO DE MATERIAL METALICO DE LAS SUPERFICIES (trabajo del metal por electroerosión B23H; despulido por calentamiento a la llama B23K 7/00; trabajo del metal por láser B23K 26/00 ); MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS; MEDIOS PARA IMPEDIR LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL (tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F ); PROCESOS EN MULTIPLES ETAPAS PARA EL TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE MATERIALES METALICOS UTILIZANDO AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO POR LA CLASE C23 Y AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO BIEN POR LA SUBCLASE C21D BIEN POR LA SUBCLASE C22F O POR LA CLASE C25. › Procesos para el levantamiento de materiales metálicos de las superficies, no cubiertos por el grupo C23F 1/00 ó C23F 3/00.
- H01L21/3213 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.
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