PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA.

ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA

(2) DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR (10), UNA CAPA (20) DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION (30) DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA (2) DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA (20) AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA (30) DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE GRABADO AL AGUAFUERTE SUFICIENTEMENTE PARA PROVEER UNA SUPERFICIE PLANARIZADA EN LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. UNA CAPA ADEMAS (40) DE MATERIAL AISLANTE DEBE ENTONCES SER CONVENCIONALMENTE CVD DEPOSITADA SOBRE LA CAPA (30) QUE ACTUA PARA ENCAPSULAR ALGUNAS PARTES REMANENTES DE LA CAPA (30) PLANARIZADA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE, SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.

Inventor/es: MAYDAN, DAN, WANG, DAVID NIN-KOU.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 6 de Marzo de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/768 (Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/311 (Grabado de las capas aislantes)
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