UN PROCEDIMIENTO PERFECCIONADO PARA LA FABRICACIÓN DE LAMINILLAS DE CRISTAL PIEZOELÉCTRICO.

Un procedimiento perfeccionado para la fabricación de laminillas de cristal piezoeléctrico,

caracterizado por el hecho de obtener por una parte laminillas de tartrato sódico potásico (sal de Saignette) durante el proceso de cristalización , en tanto que la solución concentrada a unos 30º Beaumé se vierte en un recipiente o cubeta rectangular hasta llenar a la mitad de su altura, por introducir previamente dentro de esta cubeta un cristal usual cortado a las dimensiones y forma exactas del fondo de la cubeta, por colocar sobre este cristal, también previamente y antes de verter la solución concentrada, dos láminas de aluminio una en cada ángulo contiguo de un mismo lado y una tercera lámina de alumino en el centro del lado opuesto, por enfriar la solución hasta unos 44ºC por colocar con unas pinzas un cierto número de laminillas de tartrato ya citada, y previamente cortadas sobre el cristal del fondo cuidando de que queden paralelas algo separadas entre sí y en dos pisos superpuestsos y cruzados , por cubrir luego este conjunto con otro cristal, igual al primero, cuidando que éste toque a las laminillas de tartrato y a las de aluminio y finalmente que se proceda a la cristalización en un cristalizador

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0282134.

Solicitante: SANROMÁ DOLADÉ, VICENTE.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: BARCELONA.

Fecha de Solicitud: 27 de Octubre de 1962.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 13 de Noviembre de 1962.

Clasificación antigua:

  • H01L ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

Patentes similares o relacionadas:

SUSTRATO PARA CIRCUITO IMPRESO DE ALTA DENSIDAD Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION., del 16 de Mayo de 2007, de ISOLA LAMINATE SYSTEMS CORPORATION: Un sustrato eléctrico, que comprende: una capa dieléctrica que tiene una rugosidad superficial no mayor de 6, 0 micrómetros; y una primera capa […]

PERFECCIONAMIENTOS EN DIODOS SEMICONDUCTORES., del 1 de Noviembre de 1979, de DR. HERMANN MADER: Perfeccionamientos en dichos semiconductores, con estructura de tres zonas npn o pnp que consta de tres zonas de semiconductor colindantes y con contactos resistivos, […]

UNA DISPOSICION DE PILAS SOLARES DE SEMICONDUCTOR., del 16 de Marzo de 1979, de MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY (MIT): Una disposición de pilas solares de semiconductor, que comprende una pluralidad de unidades separadas o distanciadas, paralelas y alargadas, formadas a partir […]

CAPSULA MONOCRISTAL PIEZOELECTRICA PERFECCIONADA., del 16 de Febrero de 1979, de ORBAICETA. S.A.: Cápsula monocristal piezoeléctrica perfeccionada que estando compuesta por una carcasa, envolvente de una masa de inercia y un cristal piezoelectrico que apoya en un yunque, […]

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO OHMICO EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR, del 16 de Enero de 1979, de WESTERN ELECTRIC CO. INC.: Procedimiento para producir un contacto óhmico en un cuerpo semiconductor, consistiendo principalmente por lo menos una capa superficial del mismo en un semiconductor compuesto […]

CIRCUITO DE CELULOSA FOTOELECTRICA, del 16 de Septiembre de 1974, de BALLONGA GONZALEZ Y FRANCO RAMON,A. Y V.: Circuito de célula fotoeléctrica, caracterizado esencialmente porque comprende a una célula fotoeléctrica, excitada por cualquier medio y que está conectada por medio de tres […]

Imagen de 'ELEMENTO CONECTOR PARA SEMICONDUCTORES'ELEMENTO CONECTOR PARA SEMICONDUCTORES, del 16 de Abril de 1974, de BORGUÑO CLUA, BARRIO CIPRES Y G. GOYGH,J. R. Y B.: Elemento conector para semiconductores, del tipo constituído por una plaquita tipo pinza y provista de un terminal de conexión, caracterizado esencialmente por el hecho de […]

Imagen de 'UNA DISPOSICION DE ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA'UNA DISPOSICION DE ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, del 16 de Marzo de 1974, de MATUSHITA ELECTRONICS CORPORATION: Una disposición de estructura semiconductora, caracterizada porque por lo menos tres unidades semiconductores de mesa estan formadas en una relación espaciada regularmente sobre […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .