PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Procedimiento para la producción de un dispositivo semi-conductor con un contacto a una porción semiconductora que tiene un espesor de al menos una micra y que incluye al menos 95 moles % de semiconductor compuesto del grupo III-V de tipo n

, siendo el procedimiento especialmente adecuado para proporcionar un contacto a compuestos semiconductores de los cuales al menos 10 moles% de constituyentes del grupo III es aluminio y comprendiendo el procedimiento las etapas de depositar una capa de contacto de metal sobre la superficie de la porción semiconductora y trata térmicamente el subconjunto resultante en una atmósfera no oxidante, caracterizado porque dicha deposición de la capa de contacto comprende una deposición de capas sucesivas de oro, estaño y oro, teniendo lugar la deposición de, al menos, la primera de dichas capas de oro y de la capa de estaño mientras la porción semiconductora se encuentra a una temperatura inferior a 200ºC y porque la etapa de tratamiento térmico se efectúa durante un tiempo de residencia de al menos medio minuto a una temperatura de 350 a 500ºC.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY, NEW YORK, N.Y. 10038.

Fecha de Solicitud: 24 de Mayo de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 1 de Enero de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/285 (a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación)
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