PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION-PN.
PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION PN.
LA INVENCION CONCIERNE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION PN O DE LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION DEL ELECTRODO DIFUNDIDO EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES PRODUCIDOS POR TECNOLOGIA PLANAR. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE EXPONE TAMBIEN UN PATRON DE PRUEBA, QUE CONSTA DE N PARES DE VENTANAS, QUE SU SEPARACION AUMENTA DE PAR EN PAR. EN EL PROCESO DE DIFUSION SE SOLAPAN LAS CUBETAS QUE SE FORMAN EN LOS PARES DE VENTANAS QUE ESTAN MUY JUNTOS, ESTAN EN CONTACTO EN UN PAR DE VENTANAS (N0) Y SE SEPARAN UNA DE OTRA EN PARES DE VENTANAS QUE ESTAN MAS ESPACIADAS. CON AYUDA DE UNA MEDICION DE LA RESISTENCIA SE DETERMINA EL PAR DE VENTANAS (N0) EN EL QUE AUN ESTEN EN CONTACTO LAS DOS CUBETAS, DE LO QUE RESULTA LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION LATERAL (YJ) COMO MEDIA DISTANCIA DE ESTE PAR DE VENTANAS. A PARTIR DE LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION LATERAL SE PUEDE DETERMINAR LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION VERTICAL XJ MEDIANTE LA RELACION XJ = C X YJ. EN CONFIGURACIONES DEL PROCEDIMIENTO SE INDICA ADEMAS UNA POSIBILIDAD DE CORRECCION PARA LA DIFERENCIA ENTRE LA MEDIDA DEL LAYOUT Y DEL GRABADO ASI COMO UNA NUEVA POSIBILIDAD PARA LA DETERMINACION DEL VALOR EXACTO DE LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION LATERAL YJ0. EN ESTA POSIBILIDAD SE PUEDE DETERMINAR LA DOTACION DEL MATERIAL, EN EL QUE SE DIFUNDE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ROBERT BOSCH GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: POSTFACH 30 02 20,D-70442 STUTTGART.
Inventor/es: DENNER, VOLKMAR, PLUNTKE, CHRISTIAN, THIENEL, CHRISTOPH.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 23 de Noviembre de 1990.
Fecha Concesión Europea: 26 de Octubre de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R31/26 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
- H01L21/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea, Estados Unidos de América.
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