PROCEDIMIENTO PARA HACER UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO.

Procedimiento para hacer una estructura de transistor semiconductor de óxido metálico

, caracterizado porque comprende las fases de: proporcionar un sustrato semiconductor de un primer tipo de conductividad, formar una primera capa aislante de dióxido de silicio en una superficie activa del substrato, formar una segunda capa aislante de nitruro de silicio sobre la primera capa aislante; colocar una máscara fotoprotectora sobre la segunda capa aislante para definir áreas elegidas; eliminar las áreas elegidas de la máscara fotoprotectora por una técnica fotográfica para exponer la segunda capa aislante por debajo del área elegida; mordentar las áreas expuestas de la segunda capa aislante; injertar iones del primer tipo de conductividad a través de las regiones expuestas; desarrollar regiones de óxido gruesas sobre las regiones injertadas; eliminar la segunda capa aislante remanente; eliminar la primera capa aislante; desarrollar una delgada capa aislante de óxido; depositar una capa de polisilicio sobre una delgada capa aislante de óxido; eliminar partes de la capa de polisilicio para definir una puerta conductiva; injertar iones del primer tipo de conductividad en las áreas comprendidas entre la puerta conductiva y las regiones gruesas de óxido: difundir los iones injertados para formar primeras regiones; injertar iones de un segundo tipo de conductividad de las mismas áreas de la puerta conductiva y las regiones de óxido gruesas; y difundir los iones injertados del segundo tipo de conductividad para formar segundas regiones dentro de la primera región.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MOSTEK CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1215 WEST CROSBY ROAD, CARROLLTON,TEXAS 75006.

Fecha de Solicitud: 4 de Diciembre de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Junio de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/033 (incluyendo capas inorgánicas)
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