PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO ELECTRICO DE UN SUSTRATO PARA UN MODULO DE POTENCIA.

Procedimiento para el aislamiento eléctrico interior de un sustrato (20) para un módulo semiconductor de potencia con una envolvente aislante

(60) a modo de bastidor con tapa y con un sustrato aislante (20) que comprende, como mínimo, un circuito impreso (26) y, como mínimo, un componente semiconductor de potencia (30) dispuesto sobre el mismo que está conectado de forma adaptada al circuito, preferentemente, mediante conexiones de unión (32) a elementos de conexión (80), otros circuitos impresos (26) y/o elementos semiconductores de potencia (30), caracterizado por los siguientes pasos substanciales: - Formación del sustrato (20) con, como mínimo, un elemento semiconductor de potencia (30) y las conexiones (32) adecuadas al circuito; - Recubrimiento del sustrato (20) con una masa aislante (70) dieléctrica y viscosa por medio de un procedimiento de colada; - Inducción del reticulado de la masa aislante (70); - Giro del sustrato (20) alrededor de un eje longitudinal (eje "x") para que la masa aislante (70) envuelva de forma cuidadoso las conexiones de unión (32) existentes y la masa aislante (70) sobrante pueda escurrirse; - Disposición del sustrato (20) en la caja (60) del módulo semiconductor de potencia.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.

Inventor/es: AUGUSTIN,KARLHEINZ, GOBL,CHRISTIAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 26 de Abril de 2005.

Fecha Concesión Europea: 11 de Junio de 2008.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/56 (Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/24 (sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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