Procedimiento para la fabricación de un soporte de conexión.

Procedimiento para fabricar un soporte de conexión, comprendiendo dicho procedimiento las etapas de:

preparar una placa metálica (1) para formar un soporte de conexión, formar una capa seca protectora (2) sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica (1), eliminar partes de la capa seca protectora (2) utilizando máscaras (3, 4) que tienen patrones del soporte de conexión tanto en la superficie frontal como posterior de la placa metálica (1), formar sucesivas capas de recubrimiento (1a) de níquel, paladio y oro sobre las superficies de dicha placa metálica (1) expuesta por dicha etapa de eliminación, quitar dichas partes que quedan de dicha película seca (2), realizar una máscara de grabado químico formando una segunda capa seca protectora (2) en toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica (1) y las capas de recubrimiento (1a) aplicando patrones a dicha capa seca protectora (2) utilizando máscaras (5, 6), dejar partes de las mismas solamente en dichas capas de recubrimiento (1a) y después aplicar grabado químico a ambas superficies expuestas de la placa metálica (1) para formar partes de conexión, partes de soporte y otras partes, de manera que las partes metálicas sobre las que no se ha realizado recubrimiento se disuelven y se eliminan.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2002/006933.

Solicitante: SUMITOMO METAL MINING COMPANY LIMITED.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 11-3, 5-CHOME, SHIMBASHI, MINATO-KU TOKYO 105-0004 JAPON.

Inventor/es: IITANI,Kazunori, HAMADA,Youichirou.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/48 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
  • H01L23/495 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Bastidores conductores.
  • H01L23/50 H01L 23/00 […] › para dispositivos de circuito integrado (H01L 23/482 - H01L 23/498 tienen prioridad).

PDF original: ES-2383874_T3.pdf

 

Procedimiento para la fabricación de un soporte de conexión.

Fragmento de la descripción:

Procedimiento para la fabricación de un soporte de conexión

CAMPO TÉCNICO

La presente invención se refiere a un soporte de conexión para utilizarse para dispositivos semiconductores y a un procedimiento para su fabricación.

ANTECEDENTES DE LA TÉCNICA

Convencionalmente, un soporte de conexión está fabricado de manera que a partir de una placa metálica se forma un patrón del soporte de conexión mediante un proceso de grabado químico o prensado, entonces, tras realizar un recubrimiento con paladio por toda su superficie, se montan los elementos semiconductores en la posición predeterminada y después, tras el sellado con resina, se lleva a cabo el corte mediante el uso de una matriz etc. Finalmente, se producen microcircuitos independientes. En uso práctico, estos productos son piezas electrónicas tales como chips de circuitos integrados.

JP-A-2001110971 describe un soporte de conexión recubierto con níquel, paladio y oro para mejorar las propiedades de unión del cable, las propiedades de soldabilidad y adhesión. EP-A-0921562 describe que el recubrimiento parcial o completo con paladio mejora las propiedades de unión y soldabilidad de un soporte de conexión.

US-B-6238952 describe un procedimiento para fabricar un soporte de conexión en el que partes de una placa metálica se recubren con níquel y oro o paladio, las partes recubiertas actúan como máscara de grabado químico para realizar un semi-grabado químico de la placa. Las partes restantes de la placa se eliminan por grabado químico tras el montaje de la matriz y encapsulado.

En los últimos años, en una especificación del soporte de conexión, ha cesado el uso recubrimientos con soldadura que contienen plomo por la influencia que tiene sobre el medio ambiente, y se ha utilizado recubrimiento con paladio en toda la superficie del soporte de conexión. Sin embargo, debido a que el paladio es un material metálico caro hay el problema de que el coste del producto se incrementa al utilizar recubrimiento de paladio en toda la superficie.

Por consiguiente, el principal objetivo de la presente invención es disponer un soporte de conexión más económico, minimizando la cantidad de paladio utilizado.

Otro objetivo de la presente invención es disponer un procedimiento de fabricación de soporte de conexión mediante el cual se eliminen los fallos del soporte de conexión.

DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN

Con el fin de alcanzar los objetivos mencionados anteriormente, se dispone un procedimiento de acuerdo con la presente invención según la reivindicación 1 o la reivindicación 2.

De acuerdo con los procedimientos descritos anteriormente, puede disponerse un soporte de conexión que no solamente es más económico, sino que también no produce fallos tales como falta de plomo, ruptura de la resina, etc. que se aprecian en el soporte de conexión convencional ya que éste es lo suficientemente bueno como para cortar solamente la parte de la resina en el momento en el que el soporte de conexión se corta en pequeños microcircuitos utilizando el cortador o dispositivo de corte en rebanadas, después de montar los elementos semiconductores en la posición predeterminada en el soporte de conexión y el sellado se realiza con resina ya que las partes metálicas a cortar ya han sido disueltas por el grabado químico.

Estos y otros objetivos así como las características y ventajas de la presente invención serán más claras a partir de la siguiente descripción detallada que se refiere a los dibujos que se acompañan.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS

La figura 1 es un diagrama de flujo que ilustra una realización de la fabricación de un soporte de conexión de acuerdo con la presente invención.

La figura 2 es un diagrama de flujo que ilustra otra realización de la fabricación de un soporte de conexión de acuerdo con la presente invención.

La figura 3 es un diagrama de flujo que ilustra un ejemplo de fabricación de un soporte de conexión útil para comprender la presente invención.

La figura 4 es un diagrama de flujo que ilustra otro ejemplo de fabricación de un soporte de conexión útil para comprender la presente invención.

La figura 5 es una vista lateral esquemática que ilustra la relación posicional entre un soporte de conexión fabricado mediante el procedimiento de la presente invención y un sustrato como una placa de circuito impreso.

MEJOR MODO DE LLEVAR A CABO LA INVENCIÓN

Realización 1

La figura 1 es un diagrama de flujo que ilustra una realización del procedimiento de fabricación de soportes de conductores de acuerdo con la presente invención. En la figura 1, 1 es una placa de cobre o material similar para formar un soporte de conexión. 2 es una película seca montada en la superficie frontal y posterior de la placa metálica 1. 3 es una máscara de vidrio que se coloca sobre la película seca 2 situada sobre la superficie de la placa metálica 1, y que forma un patrón del soporte de conexión 3a utilizando un agente protector contra la luz. 4 es una máscara de vidrio que se coloca sobre la película seca 2 situada sobre la superficie posterior de la placa metálica 1, y que forma un patrón del soporte de conexión 4a en un lado simétricamente opuesto al patrón del soporte de conexión 3a respecto a la placa metálica 1 mediante el agente protector contra la luz. 5 y 6 son máscaras de vidrio que forman patrones de sombreado predeterminados, y 7 son una pluralidad de boquillas de inyección de un líquido de grabado químico que están dispuestas opuestas en ambos lados de la placa metálica 1.

A continuación se explicará el proceso de fabricación del soporte de conexión. En primer lugar, tal como se muestra en la figura 1A, la película seca 2, que trabaja como elemento fotoprotector, se coloca sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica 1. Después, las máscaras de vidrio 3 y 4 que tienen los patrones 3a y 4a del soporte de conexión se disponen en la superficie frontal y posterior en el estado de posicionamiento del patrón. Y dichas dos superficies quedan expuestas por el rayo ultravioleta a través de las máscaras de vidrio 3 y 4.

Tras la exposición se quitan las máscaras de vidrio 3 y 4, y la placa metálica 1 con la película seca se empapa en la solución de revelado para el revelado. Por tanto, solamente las partes de la película seca 2 expuestas por el rayo ultravioleta, es decir, las partes que es necesario recubrir paladio, tales como partes a las cuales se unen cables de oro y partes para montar en las mismas elementos semiconductores se eliminan tal como se muestra en la figura 1

B.

A continuación, esto se dispone en una cuba de recubrimiento, y tal como se muestra a través de la escala parcialmente ampliada de la figura 1C, el recubrimiento necesario de níquel (Ni) , paladio (Pd) y oro (Au) , etc. se lleva a cabo, a su vez, para partes necesarias. De esta manera puede obtenerse la placa metálica 1 con la capa de recubrimiento 1a de la configuración en sección transversal que se muestra en la figura 1D por extracción de la película seca 2.

La película seca 2 se coloca de nuevo sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica 1 con la capa de recubrimiento 1a que se obtuvo de la manera descrita anteriormente. Entonces, tal como se muestra en la figura 1E, las máscaras de vidrio 5 y 6 sobre las cuales se forma el patrón para proteger solamente las partes recubiertas se disponen sobre la película 2 y ambos lados quedan expuestos de nuevo por el rayo ultravioleta. Entonces, tal como se explica en la figura 1B, se lleva a cabo el revelado, y se obtiene la placa metálica 1 con la capa de recubrimiento 1a de la configuración en sección transversal tal como se muestra en la figura 1F.

Tal como se muestra en la figura 1G, el grabado químico se lleva a cabo rociando un líquido de grabado químico a través de las boquillas de inyección 7 sobre ambas superficies de la placa metálica con capa de recubrimiento 1a. Por medio de este grabado químico, las partes metálicas sobre las cuales no se lleva a cabo el recubrimiento se disuelven y se eliminan. Finalmente, extrayendo la película seca 2 se obtiene una estructura del soporte de conexión que presenta la configuración en sección transversal que se muestra en figura 1H, es decir, sobre la cual se llevó a cabo el recubrimiento... [Seguir leyendo]

 


Reivindicaciones:

1. Procedimiento para fabricar un soporte de conexión, comprendiendo dicho procedimiento las etapas de:

preparar una placa metálica (1) para formar un soporte de conexión, formar una capa seca protectora (2) sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica (1) , eliminar partes de la capa seca protectora (2) utilizando máscaras (3, 4) que tienen patrones del soporte de conexión tanto en la superficie frontal como posterior de la placa metálica (1) , formar sucesivas capas de recubrimiento (1a) de níquel, paladio y oro sobre las superficies de dicha placa metálica (1) expuesta por dicha etapa de eliminación, quitar dichas partes que quedan de dicha película seca (2) , realizar una máscara de grabado químico formando una segunda capa seca protectora (2) en toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica (1) y las capas de recubrimiento (1a) aplicando patrones a dicha capa seca protectora (2) utilizando máscaras (5, 6) , dejar partes de las mismas solamente en dichas capas de recubrimiento (1a) y después aplicar grabado químico a ambas superficies expuestas de la placa metálica (1) para formar partes de conexión, partes de soporte y otras partes, de manera que las partes metálicas sobre las que no se ha realizado recubrimiento se disuelven y se eliminan.

2. Procedimiento para fabricar un soporte de conexión, comprendiendo dicho procedimiento las etapas de:

preparar una placa metálica (1) para formar un soporte de conexión, formar una capa seca protectora (2) sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica (1) , eliminar partes de la capa seca protectora (2) utilizando máscaras (3, 4) que tienen patrones del soporte de conexión tanto en la superficie frontal como posterior de la placa metálica (1) , formar sucesivas capas de recubrimiento (1a) de níquel, paladio y oro sobre las superficies de dicha placa metálica (1) expuesta por dicha etapa de eliminación, quitar dichas partes que quedan de dicha película seca (2) , y después, aplicar un grabado químico en zonas no recubiertas en ambos lados de la placa metálica (1) utilizando dichas capas de recubrimiento (1a) como protección del grabado químico para formar partes de conexión, partes de soporte y otras partes, en las que la acción del grabado químico se detiene cuando las partes grabadas se vuelven extremadamente delgadas, aplicar una máscara a la superficie posterior de dicha placa metálica (1) mediante una cinta (8) y después aplicar grabado químico para disolver y eliminar completamente las partes extremadamente delgadas.

REFERENCIAS CITADAS EN LA DESCRIPCIÓN

Esta lista de referencias citadas por el solicitante es únicamente para la comodidad del lector. No forma parte del documento de la patente europea. A pesar del cuidado tenido en la recopilación de las referencias, no se pueden excluir errores u omisiones y la EPO niega toda responsabilidad en este sentido.

10 Documentos de patentes citados en la descripción

• • JP 2001110971 A • • EP 0921562 A • • US 6238952 B


 

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