PROCEDIMIENTO DE ELIMINACION MEDIANTE RECOCIDO DE LOS PRECIPITADOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR II-VI.

Procedimiento de eliminación mediante recocido de los precipitados contenidos en un material sólido de semiconductor II-VI,

en el que dicho material sólido semiconductor es un material sólido semiconductor de sublimación congruente, y en el que se realizan las siguientes etapas sucesivas:

- se calienta bajo circulación de gas neutro el material sólido semiconductor hasta una temperatura T comprendida entre una primera temperatura T 1, correspondiente al eutéctico de compuesto II-VI/elemento VI, y una segunda temperatura T2, correspondiente a la temperatura máxima de sublimación congruente;

- se mantiene bajo circulación de gas neutro el material sólido a esta temperatura T durante una duración suficiente para eliminar los precipitados;

- se enfría el material sólido semiconductor bajo circulación de gas neutro desde la temperatura T hasta la temperatura ambiente a una velocidad tal que el material sólido se confunde en el transcurso del enfriamiento con su línea de sublimación congruente;

- se recupera el material sólido semiconductor exento de precipitados

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E07115691.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 25, RUE LEBLANC IMMEUBLE "LE PONANT D",75015 PARIS.

Inventor/es: PELLICIARI,BERNARD.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 5 de Septiembre de 2007.

Fecha Concesión Europea: 1 de Julio de 2009.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C22F1/16 QUIMICA; METALURGIA.C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS.C22F MODIFICACION DE LA ESTRUCTURA FISICA DE METALES O ALEACIONES NO FERROSOS (procesos específicos para el tratamiento térmico de aleaciones ferrosas o aceros y dispositivos para el tratamiento térmico de metales o aleaciones C21D). › C22F 1/00 Modificación de la estructura física de metales o aleaciones no ferrosos por tratamiento térmico o por trabajo en caliente o en frío. › de otros metales o aleaciones basadas en ellos.
  • C30B29/48 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A II B VI.
  • C30B33/02 C30B […] › C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad). › Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).

Clasificación PCT:

  • C22F1/16 C22F 1/00 […] › de otros metales o aleaciones basadas en ellos.
  • C30B29/48 C30B 29/00 […] › Compuestos A II B VI.
  • C30B33/02 C30B 33/00 […] › Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
  • H01L21/477 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

PROCEDIMIENTO DE ELIMINACION MEDIANTE RECOCIDO DE LOS PRECIPITADOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR II-VI.

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