PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO.
LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE,
QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA SUMINISTRAR UNA RESISTENCIA DE COLECTOR BAJA EN EL FONDO DEL ISLOTE, SE REDUCEN MEDIANTE LA CONFECCION DE LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE UNA ZONA DE ISLOTE DE GROSOR REDUCIDO PARA PROPORCIONAR UN PASO DE CORRIENTE DE RESISTENCIA BAJA DESDE LA LOCALIZACION DE UN ISLOTE (65), DIRECTAMENTE POR DEBAJO DE LA REGION BASE (61) AL CONTACTO DE COLECTOR (17). EL SUSTRATO DE SOPORTE (12) ES DESVIADO A UN VOLTAGE QUE ES MENOR QUE EL VOLTAGE DEL COLECTOR, DE TAL MANERA QUE LA PARTE (25) DEL ISLOTE DE COLECTOR (26) DIRECTAMENTE POR DEBAJO DE LA PROYECCION DEL EMISOR A LA BASE SE AGOTA DE TRANSPORTADORES ANTES DEL CAMPO ELECTRICO EN EL LUGAR QUE ALCANZA EL BVCEO, PARA NO REDUCIR EFECTIVAMENTE EL BVCEO. COMO LA POTENCIA DESVIADA DEL SUSTRATO DE SOPORTE REDUCE ALGO DE LA REGION DEL ISLOTE POR DEBAJO DE LA REGION BASE DE LOS TRANSPORTADORES, EL BARNIZADO DE LOS ISLOTES PUEDE INCREMENTARSE COMPARANDOLO AL CASO DONDE EL SUSTRATO NO ES DESVIADO, MIENTRAS QUE SE MANTIENE EL CAMPO ELECTRICO EN SU LUGAR MENOR QUE EL CAMPO BVCEO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HARRIS CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1025 WEST NASA BLVD,MELBOURNE, FL 32919.
Inventor/es: BEASOM, JAMES, D.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 20 de Diciembre de 1990.
Fecha Concesión Europea: 30 de Agosto de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/36 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
- H01L29/732 H01L 29/00 […] › Transistores verticales.
- H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Brasil, Japón.
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