PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE METALIZACIONES AUTOALINEADAS.
Procedimiento de realización de un dispositivo semiconductor, que comprende las siguientes etapas:
- realización en una primera cara principal (40.2) de un substrato semiconductor (40) de una región dopada (44.1) de un primer tipo de conductividad y de al menos una ventana (45) que delimita dicha región, - depósito de una primera zona (46) de metalización en la región dopada (44.1) del primer tipo de conductividad, - depósito de una capa dieléctrica (47) en al menos la ventana (45) y la primera zona (46) de metalización, - grabado de al menos una primera abertura (48) en la capa dieléctrica (47) al nivel de la ventana (45) que deja al descubierto el substrato (40), destinada a acoger una región dopada (50) de un segundo tipo de conductividad ajustando lateralmente una porción no dopada (40.1) del substrato semiconductor entre la región dopada (50) del segundo tipo de conductividad y la región dopada (44.1) del primer tipo de conductividad, - dopaje del substrato (40) que conduce a la región dopada (50) del segundo tipo de conductividad, - depósito de una segunda zona (50) de metalización que recubre la capa dieléctrica (47) y que entra en contacto con la región dopada (50) del segundo tipo de conductividad.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25, RUE LEBLANC IMMEUBLE "LE PONANT D",75015 PARIS.
Inventor/es: RIBEYRON,PIERRE-JEAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 23 de Julio de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Patentes similares o relacionadas:
Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara, del 1 de Julio de 2020, de King Abdullah University of Science and Technology: Un fotoelectrodo, que comprende: una primera capa de nanocables de nitruro III; un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una […]
Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación, del 1 de Julio de 2020, de Sun Yat-Sen University: Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta, que es a lo largo de la dirección de la […]
Dispositivo fotovoltaico con un conjunto de fibras para seguimiento del sol, del 6 de Mayo de 2020, de FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES: Un dispositivo fotovoltaico que comprende: una célula solar que comprende una capa activa que reside entre la primera capa de contacto […]
CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN, del 16 de Abril de 2020, de FUNDACIÓN CENER ñ CIEMAT: Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo frontal […]
CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN, del 15 de Abril de 2020, de FUNDACION CENER-CIEMAT: Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo […]
Célula solar y método de fabricación para la misma, del 1 de Abril de 2020, de Jun, Young-kwon: Una célula solar que tiene una capa absorbente de luz formada entre dos electrodos que se disponen uno […]
Procedimiento para la fabricación de una célula solar, del 1 de Abril de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento para la fabricación de células solares que comprende las etapas de procedimiento: - poner a disposición una oblea semiconductora con […]
Cuerpo compuesto decorativo con capa eléctricamente conductiva y sensor electrónico, del 26 de Febrero de 2020, de D. Swarovski KG: Elemento ornamental que comprende (a) una piedra ornamental , (b) una capa eléctricamente conductiva en al menos una zona […]