PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MODULOS DE POTENCIA CON ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MODULOS DE POTENCIA CON ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.

DEL TIPO DE LOS QUE FACULTAN LA INTEGRACION DE VARIOS COMPONENTES INDIVIDUALES (14) EN UN UNICO MODULO; Y CUYO OBJETO ES REDUCIR TANTO EL NUMERO DE FASES DEL PROCESO DE FABRICACION COMO LA DIVERSIDAD DE MATERIALES A UTILIZAR, PERMITIR UNA MAYOR Y MAS FACIL AUTOMATIZACION DE FABRICACION, ABARATANDO SU COSTE. CUENTA CON: UNA PRIMERA FASE DE TROQUELADO DE UNA O DOS LAMINAS, ESTABLECIENDOSE LAMINAS BASE (11) Y TERMINALES (16), DE MANERA TAL QUE ALGUNAS BASES (11) QUE FINALMENTE DEBE DE QUEDAR AISLADAS, INICIALMENTE SE MANTIENEN UNIDAS POR TRAMOS (13) DANDO AL CONJUNTO RIGIDEZ; UNA SEGUNDA FASE DE SOLDADO DE LOS DISTINTOS ELEMENTOS (14) EN LAS CORRESPONDIENTES BASES (11) Y TERMINALES (16); UNA TERCERA FASE DE INTERCONEXIONADO DE LAS BASES (11), ELEMENTOS (4) Y LOS TERMINALES (16) QUE CONSTITUYEN EL MEDIO DE CONEXION CON EL EXTERIOR; UNA CUARTA FASE DE ENCAPSULADO (20) DEL CONJUNTO PROPORCIONANDO EL AISLAMIENTO ENTRE LOS DISTINTOS ELEMENTOS (14) Y CON EL EXTERIOR; UNA QUINTA FASE DE SEPARACION DE LAS BASES (11) QUE HAN DE CONSTITUIR EL MODULO, AISLANDO LAS QUE SE MANTUVIERON UNIDAS EN LA PRIMERA FASE MEDIANTE LOS TRAMOS (13) PARA DAR RIGIDEZ; FACULTANDOSE LA OBTENCION DE UNO O VARIOS MODULOS DE POTENCIA A LA VEZ.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SMARTPACK TECNOLOGIA, S.A.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: BARCELONA.

Inventor/es: MASANA NADAL, FRANCISCO.

Fecha de Solicitud: 28 de Diciembre de 1993.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 15 de Diciembre de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L25/11 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MODULOS DE POTENCIA CON ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.

Patentes similares o relacionadas:

Módulo de semiconductor de potencia, del 22 de Marzo de 2019, de SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT: Módulo de semiconductor de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia interconectadas entre sí, las cuales presentan respectivamente una […]

Procedimiento de interconexión eléctrica en tres dimensiones entre chips electrónicos encapsulados o entre un chip electrónico encapsulado y un circuito impreso, del 9 de Mayo de 2018, de 3D PLUS: Procedimiento de interconexión en tres dimensiones para al menos dos cápsulas plásticas de encapsulado conteniendo cada una al menos un chip electrónico , […]

Torre de válvula de HVDC, del 11 de Mayo de 2016, de LSIS Co., Ltd: Una torre de válvula de HVDC que comprende: una parte cilíndrica de carga del módulo de válvula que tiene una pluralidad de capas apiladas, en la que cada capa comprende […]

Imagen de 'Conjuntos de elementos apilados que contienen dispositivos semiconductores'Conjuntos de elementos apilados que contienen dispositivos semiconductores, del 8 de Agosto de 2012, de Converteam Technology Ltd (100.0%): Un conjunto de elementos apilados que comprende: al menos un dispositivo semiconductor (2a - 2d) intercalado entre disipadores de calor (20a […]

DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE CORRIENTE DE BAJA RESISTENCIA PARA UN CIRCUITO EXCITADOR SIN ESCOBILLAS., del 1 de Enero de 2004, de SIEMENS WESTINGHOUSE POWER CORPORATION: SISTEMA DE RUEDA DE DIODO EXCITADOR SIN ESCOBILLAS QUE INCLUYE UNA RUEDA DE DIODO Y UN APARATO DE CONEXION ELECTRICA QUE ESTA ACOPLADO […]

UN RECTIFICADOR PARA UN ALTERNADOR, PARTICULARMENTE PARA VEHICULOS AUTOMOVILES., del 16 de Agosto de 2002, de MAGNETI MARELLI MANUFACTURING SPA: EL RECTIFICADOR COMPRENDE UN PAR DE PLACAS CONDUCTORAS DE REFRIGERACION, POSITIVA Y NEGATIVA , QUE ESTAN AISLADAS ENTRE SI Y A LAS CUALES SE […]

ALTERNADOR QUE COMPRENDE PIEZAS DE ADAPTACION PARA DIODOS DE PUENTE RECTIFICADOR, EN ESPECIAL PARA VEHICULO AUTOMOVIL, Y PIEZA DE ADAPTACION PARA UN ALTERNADOR DE ESTE TIPO., del , de VALEO EQUIPEMENTS ELECTRIQUES MOTEUR: LA INVENCION SE REFIERE A UN ALTERNADOR QUE COMPRENDE UN DISIPADOR QUE POSEE UNO O VARIOS ORIFICIOS CONCEBIDOS PARA RECIBIR UNO O VARIOS DIODOS POR ENMANGAMIENTO. […]

DISPOSITIVO DE MONTAJE PARA SEMICONDUCTORES DE ALTO VOLTAJE/ALTA POTENCIA., del 16 de Diciembre de 1998, de GENERAL ELECTRIC COMPANY: LA INVENCION SE REFIERE A UNA DISPOSICION DE MONTAJE PARA UN PAR DE SEMICONDUCTORES EN PAQUETE DE PRENSADO, RELATIVAMENTE DE ALTO VOLTAJE, POSICIONADOS EN UN ESPACIO APARTE […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .