PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS.

Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos.
La presente invención se refiere al uso de una combinación de implantaciones iónicas de C+ y recocidos convencionales para la fabricación de estructuras complejas multicapas basadas en SiC. Esta combinación de técnicas muy bien conocidas de la tecnología del Si proporciona una gran versatilidad en cuando a la estructura de las capas sintetizadas

(estructura amorfa, policristalina, o cristalina con control de la orientación cristalina; multicapas, capas enteradas o sobre aislante) y permite la obtención de capas con muy bajos niveles de tensión residual y con superficies e interficies de muy baja rugosidad caracterizadas por la ausencia de cavidades (a diferencia de otras técnicas como CVD o MBE), siendo estos últimos puntos de suma importancia para la viabilidad y fiabilidad de las estructuras multicapa sintetizadas para diversas aplicaciones, como por ejemplo dispositivos MicroçElectroMecánicos (MEMS).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
UNIVERSIDAD DE BARCELONA.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Fecha de Solicitud: 31 de Marzo de 2000.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 20 de Mayo de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/322 (para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/265 (produciendo una implantación de iones)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/324 (Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen prioridad))
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