Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.

Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor (1), comprendiendo el procedimiento las etapas de:

irradiar con luz laser un sustrato semiconductor (1) que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor(1), con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor (1), y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;

generar una tensi6n en el sustrato semiconductor (1) a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor (1) a lolargo de la parte que esta destinada a ser cortada, caracterizado por

expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor (1), con el fin de cortar la capa de resinade pegado de plaquetas a lo largo de una secciOn de corte del sustrato semiconductor (1).

Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

Campo tecnico

La presente invencion se refiere a un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor segOn el preambulo de la reivindicaciOn 1.

Antecedentes de la tecnica

Como tecnica convencional de este tipo, la Solicitud de Patente Japonesa Expuesta al POblico con Nos. 2002158276 y 2000-104040 describe la siguiente tecnica. En primer lugar, se adhiere una lamina adhesiva a la cara trasera de una plaqueta semiconductora por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas (die-bonding resin layer) , y se corta la plaqueta semiconductora con una cuchilla mientras se encuentra en un estado en el que la plaqueta semiconductora se sostiene en la lamina adhesiva, con el fin de producir chips semiconductores. Posteriormente, al retirar los chips semiconductores de la lamina adhesiva, la resina de pegado de plaquetas se despega junto con los chips semiconductores individuales. Esto puede pegar los chips semiconductores a un marco de conexion (lead frame) omitiendose la etapa de aplicar un adhesivo a las caras traseras de los chips

semiconductores, y asi sucesivamente.

Cuando, en la tecnica mencionada anteriormente, se corta con la cuchilla la plaqueta semiconductora sostenida en la lamina adhesiva, se necesita, sin embargo, que la capa de resina de pegado de plaquetas que existe entre la plaqueta semiconductora y la lamina adhesiva sea cortada de forma segura sin cortar la lamina adhesiva. Por lo tanto, en dicho caso se debe tener un cuidado especial cuando se corta una plaqueta semiconductora con una cuchilla. El documento WO 02/22301 A divulga un procedimiento de mecanizado por medio de haz laser segOn el

preambulo de la reivindicacion 1.

Descripción de la invencion

En vista de tales circunstancias, es un objeto de la presente invenciOn proporcionar un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que puede cortar de manera eficiente un sustrato semiconductor con una capa de resina de pegado de plaquetas.

En aim otro aspecto, la presente invencion proporciona un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor,

comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina

pegada al mismo por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas (die-bonding resin layer) mientras se

ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada

causada por absorcion multifotonica dentro del sustrato semiconductor, y causando que la región modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensión (stress) en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor, con el fin de cortar la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de una secciOn de corte del sustrato semiconductor.

La region modificada causada por absorción multifotonica puede fornnar una parte que esta destinada a ser cortada dentro del sustrato semiconductor a lo largo de una linea de corte deseada para cortar el sustrato semiconductor tambien en este procedimiento de corte de un sustrato semiconductor. Por lo tanto, cuando se genera una tensión en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada, se puede cortar el sustrato semiconductor con una alta precision a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada. Entonces, cuando se expande la lamina pegada al sustrato semiconductor, se separan entre si las secciones de corte opuestas del sustrato semiconductor cortado desde su estado de contacto estrecho a medida que se expande la lamina, con lo que la capa de resina de pegado de plaquetas existente entre el sustrato semiconductor y la lamina es cortada a lo largo de las secciones de corte del sustrato semiconductor. Por lo tanto, el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas pueden ser cortados a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada de forma mucho mas eficiente que en el caso en que el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas son cortados con una cuchilla dejando la lamina. Tambien, dado que las secciones de corte opuestas del sustrato semiconductor estan inicialmente en estrecho contacto entre Si, las piezas cortadas del sustrato semiconductor y las piezas cortadas de la capa de resina de pegado de plaquetas tienen sustancialmente la misma forma externa, con lo que se evita que la resina de pegado de plaquetas sobresalga de las secciones de corte del sustrato semiconductor.

En aun otro aspecto, la presente invenciOn proporciona un procedimiento de code de un sustrato semiconductor, connprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor bajo una condicion con una densidad de potencia pico de al menos 1 x 108 (W/cm2) en el punto de convergencia de luz y un ancho de pulso de 1 ps o menos, con el fin de formar una region modificada causada por absorción multifotOnica dentro del sustrato semiconductor, y causando que la region modificada forme una parte destinada a ser cortada; generar una tensión en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor, con el fin de cortar la capa de resina de

pegado de plaquetas a lo largo de una secciOn de code del sustrato semiconductor.

En aun otro aspecto, la presente invencion proporciona un procedimiento de code de un sustrato semiconductor,

comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina

pegada al mismo por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de

convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del

sustrato semiconductor, y causando que la región modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;

generar una tensión en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor, con el fin de cortar la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de una sección de code del sustrato semiconductor. La región modificada puede ser una region procesada fundida.

A causa de las mismas razones que con los procedimientos antes mencionados de code de un sustrato semiconductor, el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas tambien pueden ser cortados a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada de forma mucho mas eficiente en este procedimiento de code de un sustrato semiconductor que en el caso en que el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas son cortados con una cuchilla dejando la lamina.

La region modificada puede incluir una región procesada fundida. Cuando el objeto a procesar es un sustrato

semiconductor, se puede formar una región procesada fundida a causa de la irradiación con luz laser. Dado que la

región procesada fundida es un ejemplo de la region modificada mencionada anteriormente, el sustrato

semiconductor se puede cortar facilmente, con lo que el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas se pueden cortar de manera eficiente a lo largo de la linea de code tambien en este caso.

Breve descripcion de los dibujos

La figura 1 es una vista en planta de un sustrato semiconductor durante el procesamiento por laser mediante el procedimiento de procesamiento por laser de acuerdo con una forma de realizacion;

La figura 2 es una vista en sección del sustrato semiconductor tomada a lo largo de la linea II-II de la figura 1;

La figura 3 es una vista en planta del sustrato semiconductor despues del procesamiento por laser mediante el procedimiento de procesamiento por laser de acuerdo con la realizaciOn;... [Seguir leyendo]

1. Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor (1) , comprendiendo el procedimiento las etapas de:

irradiar con luz laser un sustrato semiconductor (1) que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor (1) , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor (1) , y causando que la región nnodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;

generar una tensión en el sustrato semiconductor (1) a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor (1) a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada, caracterizado por

expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor (1) , con el fin de cortar la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de una secciOn de corte del sustrato semiconductor (1) .

2. Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor (1) segun la reivindicaciOn 1, en el que el sustrato semiconductor (1) es irradiado bajo una condición con una densidad de potencia pico de al menos 1 x 108 (VV/cm2) en el punto de convergencia de la luz y un ancho de pulso de 1 ps o menos, con el fin de formar la región modificada.

3. Un procedinniento de corte de un sustrato semiconductor (1) segtin la reivindicaciOn 1, en el que la región modificada es causada por absorción multifotOnica.

4. Un procedimiento de code de un sustrato semiconductor (1) segOn la reivindicacion 1, en el que la region modificada es una region procesada fundida.

5. Un procedimiento de code de un sustrato semiconductor (1) segOn una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que la lamina (20, 220) es expandida tirando de porciones perifericas de la lamina hacia afuera.

Fig.1

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A

Fig.2

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Fig.3

Fig.4

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Fig.5

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Fig.10

SELECCIONAR FUENTE LASER I

DETERMINARLACANTIDADDEMOVIMIENTODEL I

S103

SUSTRATOSEMICONDUCTOREN LADIRECCIONDELEJEZ

ILUMINARELSUSTRATOSEMICONDUCTOR S105

CALCULARDATOS FOCALESCON PUNTO FOCALDE LUZ VISIBLE pROCEDENTEDE LA FUENTEDE LUZPARA

S107

OBSERVACIONQUEESTASITUADOENLASUPERFICIEDEL . SUSTRATO SEMICONDUCTOR

.

MOVER EL SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN LA DIRECCION DEL EJE Z PARA QUE EL PUNTO FOCAL DE LUZ VISIBLE PRQCEDENTE DE LA FUENTE DE LUZ PARA OBSERVACION SE SITUE EN LA S109 SUPERFICIE DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR

MOVER EL SUSTRATO ) 1 EMICONDUCTOR EN LA DIRECCION, DEL EJE Z PARA QUE EL PUNTO FOCAL DEL S111

HAZ LASER SE SITUE DENTRO DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR

FORMAR PORCION EN LA (WE SE DEBER1A CORTAR EL OBJETO, FORMANDO REGION PROCESADA FUNDIDA

S113 DENTRO DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR

Fig. 11A

3 11

23

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22

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Fig. 12A

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Fig. 12B

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Fig. 13A

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Fig.13B

Fig.14A

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Fig.15A

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Fig. 16A

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Fig. 16B

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Fig.17A

21

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Fig. 17B

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Fig.19A

Fig. 19B

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22

Fig.20A

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15

22

Fig.208

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Fig. 2111

15 13 (9)

17

11

22

20

21

Fig 21B

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22

20

21

Fig. 22A

15 13 (9)

17

11

22

20

21

Fig. 228

25a

25 25

20 22

21

Fig.23

215

215

215 215

Fig.24A

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11

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17.

215 215

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17

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18

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Fig.26A

215 215

18

220

30

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Fig.26B

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220

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13 (9) 223 13 (9) 221 13 (9)

Fig.26C

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11

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17

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223 221

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215 25a 215 25 30 30

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Fig.27B

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Fig.27C

223