PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

Perfeccionamientos en dispositivos de conmutación de estado sólido, que comprenden un cuerpo semiconductor

, del cual una parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer tipo de conductividad, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, estando mutuamente separadas la primera región, la segunda región y la región de puerta por partes de la masa principal, siendo la resistividad de la primera región, la segunda región y la región de puerta menores que la resistividad de la parte principal, eligiendose los parámetros del dispositivo de modo que alimentándose un primer voltaje a la presión de puerta, se forme una región de transición en el cuerpo del semiconductor que evita virtualmente el flujo de corriente entre la primera y la segunda regiones, y que, con un segundo voltaje alimentados a la región de puerta y con voltaje apropiados alimentados a la primera y la segunda regiones, se establece una corriente de resistencia relativamente baja entre la primera y la segunda regiones por doble inyección de portadores; caracterizado porque la primera y la segunda regiones y la región de puerta tienen cada una superficie contenida sobre la primera superficie principal del cuerpo semiconductor.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY,NEW YORK-N.Y.10038.

Fecha de Solicitud: 19 de Diciembre de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/76 (Realización de regiones aislantes entre los componentes)
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