PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS DE MEMORIAS DE CIRCUITO INTEGRADO.

La presenta invención consigue una reducción de área debido a la alimentación de la línea de datos a nivel del substrato. Esta línea de datos se forma en una segunda capa de polisilicio se pone en contacto con el área del substrato formada durante el dotado o adulteración del drenador y la fuente para hacer una conexión eléctrica al terminal

(fuente o drenador) de un transistor de la célula de la memoria. La puerta del transistor de la célula de la memoria se forma también en la segunda capa de po9lisilicio y se concreta a una linea de palabras. El electrodo inferior del capacitador se forma dopando el substrato y se conecta al transistor de la célula de la memoria. El electrodo y se conecta al transistor de la célula de la memoria. El electrodo superior del capacitor se forma en la primera capa de polisilicio. Este primer electrodo de polisilicio es común a todos los capacitores en la formación de células de la memoria. El aislamiento entre las células se consigue mediante el empleo de un óxido de campo grueso.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MOSTEK CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1215 WEST CROSBY ROAD, CARROLLTON, TEXAS 75006.

Fecha de Solicitud: 16 de Enero de 1980.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > Memorias digitales caracterizadas por la utilización... > G11C11/40 (que utilizan transistores)
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