PERFECCIONAMIENTO DE LOS MATERIALES DE ACCIONADORES DE PISTON ACTIVO.
Accionador que comprende un cilindro interior de deslizamiento (7,
7'') y un cilindro exterior (5, 5'') en el que dicho cilindro de deslizamiento (7, 7'') es pretensado, siendo uno u otro del cilindro exterior (5, 5'') y del cilindro de deslizamiento (7, 7'') de material que tiene un coeficiente de dilatación térmica negativo o sustancialmente nulo, teniendo el otro cilindro un coeficiente de dilatación térmica positivo o sustancialmente nulo, comprendiendo el accionador además un pistón lineal (2) de material activo que comprende una pluralidad de tramos (4) aptos para ser controlados para ser dilatados de forma que se bloqueen en el cilindro de deslizamiento (7, 7'') y/o para ser prolongados en el interior del cilindro de deslizamiento (7, 7'') de forma que el pistón (2) se desplace en rozamiento en seco axialmente en el cilindro de deslizamiento (7, 7''), caracterizado porque el material del cilindro que tiene un coeficiente de dilatación térmica negativo o sustancialmente nulo es uno de los materiales siguientes:
- Zr2WP2O12,
- una faujasita silícea,
- Lu2(WO4)3,
- ZrW2O8 en fase cúbica que comprende nanogranos cuyo tamaño está comprendido sustancialmente entre 10 nm y 75 nm, o
- una combinación cualquiera posible de estos materiales, de manera que las tensiones sobre dicho material puedan alcanzar 600 MPa aproximadamente
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E06113896.
Solicitante: SAGEM DEFENSE SECURITE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: LE PONANT DE PARIS 27 RUE LEBLANC,75015 PARIS.
Inventor/es: AUDREN, JEAN-THIERRY, D'ALMEIDA,OSCAR, WOYDT,MATHIAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 12 de Mayo de 2006.
Fecha Concesión Europea: 8 de Julio de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- F16D65/14D6F
- H01L41/09D
Clasificación PCT:
- H01L41/09 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › de entrada eléctrica y salida mecánica.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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