MODULO DE CONMUTACION MULTIBANDA DE ALTA FRECUENCIA.
Módulo de conmutación multibanda de alta frecuencia en forma de un cuerpo laminado para su uso en un sistema de comunicación que utiliza una pluralidad de sistemas de transmisión-recepción que tienen diferentes pasabandas,
comprendiendo el circuito de dicho módulo de conmutación multibanda de alta frecuencia: un circuito de separación de bandas (2) que tiene un extremo conectado a una antena común (ANT), y que está constituido por circuitos de filtrado que comprenden cada uno un circuito LC, y un circuito conmutador (SW1, SW2) en cada uno de dichos sistemas de transmisión-recepción para conmutar un circuito de transmisor (TX1, TX2) y un circuito receptor (RX1, RX2) en cada uno de dichos sistemas de transmisión-recepción , presentando cada circuito conmutador (SW1, SW2) un extremo conectado a dicho circuito de separación de bandas (2) y el otro extremo conectado tanto a un terminal de recepción (RT1, RT2) para la conexión a dicho circuito receptor (RX1, RX2) como a un terminal de transmisión (TT1, TT2) para la conexión a dicho circuito transmisor (TX1, TX2) de tal modo que se conecta de forma alternante dicha antena común (ANT) a dicho circuito receptor (RX1, RX2) y a dicho circuito transmisor (TX1, TX2), comprendiendo cada circuito conmutador (SW1, SW2) al menos una línea de transmisión (LG1, LG2; LP1, LP2), en el que dicho cuerpo laminado comprende una pluralidad de capas dieléctricas (11-22), electrodos patrón (41-71) impresos en dichas capas dieléctricas, electrodos de terminal (81-96) formados en superficies de dicho cuerpo laminado, y elementos de chip (CP1-LP4) montados sobre la superficie superior de dicho cuerpo laminado, y en el que dichos electrodos patrón (45, 44) de por lo menos las líneas de transmisión (LG2, LP2) conectadas a dicho circuito receptor (RX1, RX2) para dicha pluralidad de circuitos conmutadores (SW1, SW2) están formados en la misma superficie de por lo menos una de dichas capas (13, 14).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HITACHI METALS, LTD..
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 2-1, SHIBAURA 1-CHOME,MINATO-KU, TOKYO.
Inventor/es: KEMMOCHI, SHIGERU, WATANABE, MITSUHIRO, TAI, HIROYUKI, TAKETA, TSUYOSHI, TANAKA, TOSHIHIKO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Julio de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01P1/15 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01P GUIAS DE ONDAS; RESONADORES, LINEAS, U OTROS DISPOSITIVOS DEL TIPO DE GUIA DE ONDAS (que funcionan con frecuencias ópticas G02B). › H01P 1/00 Dispositivos auxiliares (dispositivos de acoplamiento del tipo guía de ondas H01P 5/00). › utilizando dispositivos semiconductores.
- H04B1/40 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS. › H04B TRANSMISION. › H04B 1/00 Detalles de los sistemas de transmision, no cubiertos por uno de los grupos H04B 3/00 - H04B 13/00; Detalles de los sistemas de transmisión no caracterizados por el medio utilizado para la transmisión. › Circuitos.
- H04B1/48 H04B 1/00 […] › en circuitos para conectar el emisor y el receptor a una vía de transmisión común, p. ej. por la energía del emisor.
- H04B1/52 H04B 1/00 […] › Montajes híbridos, es decir, para la transición bilateral de una vía a una sola transmisión sobre cada una de las dos vías o viceversa.
- H05K1/02 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS. › H05K 1/00 Circuitos impresos. › Detalles.
Clasificación PCT:
- H01P1/15 H01P 1/00 […] › utilizando dispositivos semiconductores.
- H04B1/40 H04B 1/00 […] › Circuitos.
- H04B1/48 H04B 1/00 […] › en circuitos para conectar el emisor y el receptor a una vía de transmisión común, p. ej. por la energía del emisor.
- H04B1/52 H04B 1/00 […] › Montajes híbridos, es decir, para la transición bilateral de una vía a una sola transmisión sobre cada una de las dos vías o viceversa.
- H05K1/02 H05K 1/00 […] › Detalles.
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