METODO Y APARATO PARA HACER CRECER CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO.

Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC

, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas que contienen carbono y silicio; y dirigir y mantener un flujo de especies evaporadas que contengan carbono y silicio para formar un cristal simiente de SiC en condiciones de temperatura y presión en las que tendrá lugar el crecimiento del cristal único de carburo de silicio en el cristal simiente; seleccionar el gas fuente de silicio de silano, clorosilano y metiltriclorosilano; caracterizado por: calentar los gases fuente hasta una temperatura de entre 2200º y 2400ºC; calentar el cristal simiente hasta una temperatura de entre 2150º y 2250ºC, pero inferior a la temperatura del gas fuente; reducir la exposición del cristal simiente a la radiación infrarroja; y evitar sustancialmente que el gas fuente de silicio reaccione con el entorno ambiental que no sea el gas fuente de carbono introduciendo el gas fuente de silicio en el sistema de crecimiento de cristales de SiC que comprende grafito que está recubierto con un material seleccionado de carburo de tantalio, carburo de hafnio, carburo de niobio, carburo de titanio, carburo de zirconio, carburo de tungsteno y carburo de vanadio; y nitruro de tantalio, nitruro de hafnio, nitruro de niobio, nitruro de titanio, nitruro de zirconio, nitruro de tungsteno y nitruro de vanadio y mezclas de los mismos.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CREE, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NC 27703.

Inventor/es: PAISLEY, MICHAEL, JAMES, KORDINA, OLLE, CLAES, ERIK.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 5 de Octubre de 2000.

Fecha Concesión Europea: 15 de Diciembre de 2004.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Monocristales o materiales policristalinos homogéneos... > C30B29/36 (Carburos)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > C30B23/00 (Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > C30B25/00 (Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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