METODO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA ZONA INTERFACIAL SEMICONDUCTOR/DIELECTRICO.
ESTE INVENTO ES UN METODO DE MANUFACTURAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA CONEXION SEMICONDUCTORA/DIELECTRICA (POR EJEMPLO UNA CONEXION ENTRE UNA CAPA SEMICONDUCTORA (24) Y UNA CAPA DIELECTRICA (25)),
EN DONDE AL MENOS UNA MONOCAPA DE DICHA CAPA ELECTRICA SE ENCUENTRA EN ESTADO ORDENADO. CAPAS DE COMPUESTO DIELECTRICO QUE TIENEN UNA EXTRUCTURA DE CONEXION ORDENADA SE PUEDEN PRODUCIR SOBRE MATERIALES SEMICONDUCTORES TENSIONADOS, COMO POR EJEMPLO MEDIANTE EL CRECIMIENTO NATIVO. POR EJEMPLO, UNA RECONSTRUCCION DE 5X5 EN LA CONEXION ENTRE SILICIO Y OXIDO DE SILICIO RESULTA DE LA OXIDACION DE UNA FINA CAPA (111) DE SILICIO QUE SE ENCUENTRA SOBRE UNA CAPA DE GERMANIO-SILICIO RELAJADO. TAMBIEN, UN OXIDO DE SILICIO ORDENADO SE PUEDE HACER CRECER SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICIO (100) QUE ES AUTOMATICAMENTE ALISADA O CUYOS ESCALONES DE SUPERFICIE TIENEN DOS ALTURAS MONOCAPAS. LA ESTRUCTURA DE SUPERFICIE ORDENADA ES INTERESANTE EN LA TECNOLOGIA DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO EN LA CONEXION ENTRE SILICIO Y OXIDO DE SILICIO Y DONDE SIEMPRE LA PRESENCIA DE UNA CONEXION ALTAMENTE LIBRE DE DEFECTOS ES BENEFICA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AVENUE NEW YORK, NY 10022.
Inventor/es: BEVK, JOZE, FELDMAN, LEONARD CECIL, OURMAZD, ABBAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 4 de Octubre de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento de fabricación de una célula solar con una doble capa dieléctrica de pasivación superficial y una correspondiente célula solar, del 27 de Agosto de 2014, de INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH: Procedimiento para la fabricación de una célula solar de silicio, que comprende las etapas siguientes: Preparación de un sustrato de silicio ;
Deposición de […]
DERIVADOS AZABICICLO UTILIZADOS COMO ANTAGONISTAS DE LOS RECEPTORES MUSCARINICOS., del 16 de Mayo de 2007, de RANBAXY LABORATORIES, LTD.: Compuestos que tienen la estructura de la fórmula I: y sus sales farmacéuticamente aceptables, solvatos farmacéuticamente aceptables, estéres, enantiómeros, […]
METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE SEMICONDUCTORES., del 1 de Septiembre de 2006, de TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL): EN UN PROCEDIMIENTO PARA ATACAR SELECTIVAMENTE CON ACIDO EN LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNA CAPA AMORFA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SE DEPOSITA […]
PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO CON SILICE DE SUBSTRATOS., del 1 de Diciembre de 2002, de DOW CORNING CORPORATION: LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO DE SILICE EN UN SUSTRATO. EL METODO CONSISTE EN REVESTIR UN SUSTRATO […]
METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS., del 16 de Abril de 1999, de AT&T CORP.: SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO […]
SEMICONDUCTOR CON AISLACION DE FOSO RELLENADO POR FLUJO., del 1 de Junio de 1998, de AT&T CORP.: SE DESCRIBE UN FOSO QUE PROVEE UNA AISLACION ELECTRICA ENTRE TRANSISTORES EN UN SUBSTRATO DE CIRCUITO INTEGRADO. SE RECUBRE EL FOSO CON UNA BARRERA […]
METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES., del 16 de Septiembre de 1997, de ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.: EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO […]
PROCESO PARA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DIELÉCTRICAS DE K BAJA, del 8 de Febrero de 2012, de EVONIK DEGUSSA GMBH: Un proceso para producir películas dieléctricas de k baja, que comprende utilizar silsesquioxanos oligómeros poliédricos incompletamente condensados […]