METODO DE FABRICACION ACELERADA DE HILOS O CINTAS DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA.

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION ELEVADA, COMO, POR EJEMPLO, EN Y BA SUB 2CU SUB 3O SUB 7

(DELTA), A PARTIR DE UNA TECNICA DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SEGUN ESTE METODO QUE ES MUCHO MAS RAPIDO Y EFICAZ QUE LOS METODOS ACTUALMENTE CONOCIDOS, UN HILO O CINTA HECHO DE GRAMOS DE UN PRECURSOR DE CERAMICA SUPROCONDUCTORA SE SOMETE A UNA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL EN UN NUMERO DADO DE LUGARES TAMBIEN SEPARADOS EN SU LONGITUD. ESTA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL SE EFECTUA EN DISTINTOS LUGARES AL MISMO TIEMPO, A LA MISMA TEMPERATURA, A LA MISMA VELOCIDAD, Y EN LA MISMA DIRECCION DE MANERA A FORMAR UN NUMERO IDENTICO DE ZONAS DE MICROESTRUCTURA ORIENTADA A LO LARGO DEL HILO O DE LA CINTA, LAS CUALES CRECEN EN LONGITUD HASTA QUE SE REUNEN. ESTE METODO PERMITE MULTIPLICAR LA VELOCIDAD ACTUAL DE FABRICACION QUE SE CONOCE POR SER MUY BAJA POR UN COEFICIENTE DEL MISMO ORDEN DE MAGNITUD QUE EL NUMERO DE LUGARES DONDE SE EFECTUA LA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SI EL NUMERO DE LUGARES ES POR EJEMPLO DE 10, LA VELOCIDAD DE FABRICACION DEL HILO O DE LA CINTA SUPROCONDUCTORA SE MULTIPLICARA POR APROXIMADAMENTE EL MISMO NUMERO, ES DECIR 10.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HYDRO QUEBEC
ALCATEL CANADA WIRE INC.

Nacionalidad solicitante: Canadá.

Dirección: 75 BOULEVARD RENE LEVESQUE OUEST, MONTREAL H2Z 1A4, QUEBEC.

Inventor/es: CRITCHLOW, PHILIP R., CAVE, JULIAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 10 de Abril de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que utilizan la superconductividad o... > H01L39/24 (Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 de sus partes constitutivas)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS;... > LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES,... > C04B35/00 (Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas (que contienen un metal libre, de forma distinta que como agente de refuerzo macroscópico, unido a los carburos, diamante, óxidos, boruros, nitruros, siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos de metal, p. ej. oxinitruros o sulfuros, distintos de agentes macroscópicos reforzantes C22C ); Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Monocristales o materiales policristalinos homogéneos... > C30B29/22 (Oxidos complejos)
  • C04B35/60
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > C30B13/00 (Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales))
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