Método y aparato para medir ópticamente por interferometría el espesor de un objeto.

Método para medir ópticamente por interferometría el espesor (T) de un objeto

(2); incluyendo el método las etapas de:

llevar a cabo por interferometría óptica una pluralidad de lecturas del espesor (T) del objeto para obtener por lo menos un valor de espesor aproximado (RTW) de cada lectura y, en consecuencia, una pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW); y

determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) mediante el análisis de la pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW);

estando el método caracterizado por que este incluye las etapas de:

definir un intervalo de variabilidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que es lo bastante amplio para comprender por lo menos una parte significativa de los valores de espesor aproximados (RTW);

evaluar las frecuencias de los valores de espesor aproximados (RTW) de dicho intervalo de variabilidad; identificar un conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes cuya integración o suma de frecuencias representa un máximo absoluto;

determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) como una función de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen a dicho conjunto limitado de valores.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/057987.

Solicitante: MARPOSS SOCIETA PER AZIONI.

Nacionalidad solicitante: Italia.

Dirección: VIA SALICETO 13 40010 BENTIVOGLIO (BO) ITALIA.

Inventor/es: MALPEZZI, DOMENICO, GALLETTI,DINO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > TRABAJO CON MUELA; PULIDO > MAQUINAS, DISPOSITIVOS O PROCEDIMIENTOS PARA TRABAJAR... > Máquinas o dispositivos para trabajar con muela... > B24B7/22 (para trabajar con muela materiales minerales, p. ej. piedra, cerámica o porcelana)
  • SECCION G — FISICA > METROLOGIA; ENSAYOS > MEDIDA DE LA LONGITUD, ESPESOR O DIMENSIONES LINEALES... > Disposiciones de medida caracterizadas por la utilización... > G01B11/06 (para la medida del espesor)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/66 (Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento)
  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > TRABAJO CON MUELA; PULIDO > MAQUINAS, DISPOSITIVOS O PROCEDIMIENTOS PARA TRABAJAR... > Aparatos de medida o de calibrado para el control... > B24B49/12 (implicando dispositivos ópticos)
  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > TRABAJO CON MUELA; PULIDO > MAQUINAS, DISPOSITIVOS O PROCEDIMIENTOS PARA TRABAJAR... > Máquinas o dispositivos de afinado de superficies;... > B24B37/013 (Dispositivos o medios para detectar la finalización del afinado)

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Fragmento de la descripción:

Mïtodo y aparato para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor de un objeto Campo de la tïcnica La presente invenciïn se refiere a un mïtodo y a un aparato para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor de un objeto.

La presente invenciïn puede aplicarse de manera ventajosa para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor de rebanadas, u obleas, fabricadas de material semiconductor (habitualmente silicio) , a lo que se harï referencia explïcitamente en la memoria descriptiva sin pïrdida de generalidad.

Tïcnica anterior

Una rebanada de material semiconductor se mecaniza, por ejemplo, para obtener circuitos integrados u otros componentes elïctricos en el material semiconductor. En particular, cuando la rebanada de material semiconductor es muy delgada, la rebanada de material semiconductor se coloca sobre una capa de soporte (habitualmente fabricada de material plïstico o vidrio) que sirve para proporcionar una robustez mecïnica mïs alta y, por lo tanto, facilidad en el manejo.

En general, es necesario mecanizar de manera mecïnica la rebanada de material semiconductor mediante rectificaciïn y pulido para obtener un espesor que es uniforme e igual a un valor deseado. En esta fase del mecanizado mecïnico de la rebanada de material semiconductor, es necesario que se mida el espesor para asegurar que el valor deseado se obtiene con precisiïn.

Para medir el espesor de una rebanada de material semiconductor, se conoce el uso de cabezales de calibraciïn con unos palpadores mecïnicos que tocan una superficie superior de la rebanada de material semiconductor que se estï mecanizando.

Esta tecnologïa de mediciïn puede dar lugar a daïo en la rebanada de material semiconductor durante la mediciïn debido al contacto mecïnico con los palpadores mecïnicos, y no posibilita medir unos espesores muy delgados (habitualmente mïs bajos que 100 micras) .

Para medir el espesor de una rebanada de material semiconductor, se conoce el uso de sondas capacitivas, sondas inductivas (sondas de corrientes parïsitas u otros tipos) o sondas de ultrasonidos. Estas tecnologïas de mediciïn son del tipo sin contacto y, por lo tanto, no daïan la rebanada de material semiconductor durante la mediciïn y pueden medir el espesor de la rebanada de material semiconductor incluso cuando existe la capa de soporte. No obstante, estas tecnologïas estïn limitadas tanto en las dimensiones que estas pueden medir como en la resoluciïn mïs alta que pueden conseguir.

Para superar los lïmites de las tecnologïas de mediciïn que se han descrito en lo que antecede, se usan sondas ïpticas y mediciones interferomïtricas. Por ejemplo, la solicitud de patente internacional publicada con Nï WO2009013231A, la patente de los Estados Unidos con Nï US6437868A1 y la solicitud de patente de Japïn 45 publicada con Nï JP08216016A describen aparatos para medir ïpticamente el espesor de una rebanada de material semiconductor.

Algunos de los aparatos conocidos incluyen una fuente de radiaciones luminosas, que son en su mayorïa radiaciones de infrarrojos debido a que los materiales semiconductores usados en la actualidad estïn basados en el silicio y el silicio es lo bastante transparente a las radiaciones de infrarrojos, o tienen un espectro mïs amplio para posibilitar la mediciïn de unos espesores particularmente delgados. El haz de radiaciïn emitido presenta una baja coherencia y una pluralidad de longitudes de onda dentro de una banda determinada. Tales aparatos incluyen adicionalmente un espectrïmetro y una sonda ïptica que estï conectada con la fuente de radiaciones luminosas y con el espectrïmetro por medio de fibras ïpticas, estï orientada hacia la rebanada de material semiconductor que 55 va a medirse, y estï provista con lentes para enfocar las radiaciones que se emiten por la fuente de radiaciïn sobre la rebanada de material semiconductor que va a medirse y para captar las radiaciones que se reflejan por la rebanada de material semiconductor que va a medirse. Un anïlisis espectral de las combinaciones que resultan de la interferencia de las radiaciones que se reflejan por la superficie externa y por las posibles superficies de discontinuidad ïptica en el interior de la rebanada de material semiconductor que va a medirse se lleva a cabo por medio del espectrïmetro. A partir de un anïlisis espectral de este tipo de las combinaciones que resultan de la interferencia de las radiaciones que se reflejan por la rebanada de material semiconductor, es posible determinar la medida del espesor de una o mïs capas de material ïpticamente homogïneo que se han visto atravesadas por las radiaciones.

Pero el anïlisis que se ha mencionado en lo que antecede no posibilita la determinaciïn de la trayectoria seguida por las radiaciones reflejadas que se combinan. Dicho de otra forma, las combinaciones son el resultado final de una pluralidad de reflexiones que tienen lugar sobre la superficie externa de la rebanada de material semiconductor y en el interior de esta ïltima en cada superficie de discontinuidad ïptica. Pero en los aparatos conocidos no es posible usar la informaciïn que pudiera estar presente en las combinaciones de radiaciones reflejadas para medir de manera directa o indirecta la distancia entre la sonda ïptica y cada una de las superficies de discontinuidad que dan 5 lugar a las reflexiones. Como consecuencia, el anïlisis de las combinaciones de las radiaciones que se reflejan por la rebanada de material semiconductor posibilita la determinaciïn de la medida del espesor de las capas colocadas entre parejas de superficies de discontinuidad ïptica, pero no es posible determinar la parte de la rebanada de material semiconductor a la que ha de asignarse la medida del espesor (es decir, determinar si la medida del espesor ha de asignarse a una primera capa que se ha visto atravesada dos veces, a la primera capa que se ha visto atravesada n veces, a una segunda o tercera capa, o a la primera capa que se ha aïadido a la segunda capa, etc.) .

En cada lectura no hay solo una ïnica radiaciïn reflejada por la rebanada de material semiconductor que se analiza sino un haz de radiaciones reflejadas por la rebanada de material semiconductor. Por lo tanto, se determinan las 15 medidas de una pluralidad de diferentes espesores, pero no es posible asignar cada medida de espesor a una parte o capa especïfica de la rebanada de material semiconductor. No obstante, para cada lectura es posible determinar un factor de calidad correspondiente en funciïn, por ejemplo, de la relaciïn entre la potencia luminosa especïfica y la potencia luminosa global. De hecho, el factor de calidad es uno de los indicios que sugieren que la lectura asociada se corresponde con el espesor que va a medirse.

Un aparato conocido para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor de una rebanada de material semiconductor proporciona en cada lectura unos valores de espesor aproximados y unos factores de calidad asociados, en funciïn de los cuales se disponen generalmente estos. Con el fin de tener ïxito en la identificaciïn, de entre la totalidad de los valores de espesor aproximados proporcionados por el aparato, de valores de espesor

aproximados que se corresponden con la primera capa de la rebanada de material semiconductor (es decir, la capa mïs externa que estï fabricada de material semiconductor, se somete a rectificaciïn o pulido, y el espesor de la cual va a medirse) los aparatos conocidos usan un algoritmo de reconocimiento analizando un nïmero relativamente alto de lecturas consecutivas (habitualmente por lo menos algunas decenas de lecturas consecutivas) . Tal algoritmo de reconocimiento conocido considera, para cada lectura, solo el valor de espesor aproximado con el factor de calidad

mïs alto. A continuaciïn,... [Seguir leyendo]

 


Reivindicaciones:

1. Mïtodo para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor (T) de un objeto (2) ; incluyendo el mïtodo las etapas de:

llevar a cabo por interferometrïa ïptica una pluralidad de lecturas del espesor (T) del objeto para obtener por lo menos un valor de espesor aproximado (RTW) de cada lectura y, en consecuencia, una pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW) ; y determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) mediante el anïlisis de la pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW) ; estando el mïtodo caracterizado por que este incluye las etapas de:

definir un intervalo de variabilidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que es lo bastante amplio para comprender por lo menos una parte significativa de los valores de espesor aproximados (RTW) ;

evaluar las frecuencias de los valores de espesor aproximados (RTW) de dicho intervalo de variabilidad; identificar un conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes cuya integraciïn o suma de frecuencias representa un mïximo absoluto; determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen a dicho conjunto limitado de valores.

2. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 1, en el que la etapa de evaluar las frecuencias de los valores de espesor aproximados (RTW) de dicho intervalo de variabilidad comprende el procesamiento de una funciïn continua (F (RTW) ) que representa la densidad de frecuencia de los valores de espesor aproximados (RTW) y el cïlculo de la funciïn de densidad de frecuencia relativa;

definiendo dicho conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes un intervalo limitado y estando definida dicha integraciïn o suma de frecuencias como la integral de dicha funciïn continua (F (RTW) ) en dicho intervalo limitado.

3. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 1, en el que la etapa de definir un intervalo de variabilidad de los valores de espesor aproximados (RTW) incluye la determinaciïn de una pluralidad de clases de espesor (C) que es lo bastante grande para comprender una parte significativa de los valores de espesor aproximados (RTW) ; la etapa de evaluar las frecuencias de los valores de espesor aproximados (RTW) de dicho intervalo de variabilidad comprende una clasificaciïn de los valores de espesor aproximados (RTW) con el fin de determinar, para cada clase de espesor (C) , una frecuencia (F) correspondiente que indica con quï frecuencia los valores de espesor aproximados (RTW) caen dentro de esa clase de espesor (C) ; comprendiendo ademïs el mïtodo la etapa de determinar un grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (C) que estï compuesto por una o mïs clases de espesor (C) adyacentes para las cuales la suma de las correspondientes frecuencias (F) define dicha integraciïn o suma de frecuencias que representa un mïximo absoluto, estando definido dicho conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes por dicho grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (C) .

4. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 3 y que comprende ademïs las etapas adicionales de determinar en el grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (Cmïx) la clase de espesor (C) que tiene la 45 frecuencia mïs alta (Fmïx) ; y determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) como el promedio de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen a la clase de espesor (Cmïx) que tiene la frecuencia mïs alta (Fmïx) .

5. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, y que incluye la etapa adicional de determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) mediante el cïlculo del promedio de la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen a dicho conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes.

6. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye la etapa adicional de

determinar un mïnimo (Tmïn) y un mïximo (Tmïx) del valor real del espesor (T) del objeto (2) , es decir, determinar la amplitud (LT) de un intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn de un mïnimo y un mïximo de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen a dicho conjunto limitado de valores de espesor aproximados (RTW) adyacentes.

7. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, y que incluye las etapas adicionales de:

llevar a cabo una secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) ; y determinar un mïnimo (Tmïn) y un mïximo (Tmïx) del valor real del espesor (T) del objeto (2) , es decir, determinar la amplitud (LT) de un intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn de un 65 mïnimo y un mïximo de los valores reales del espesor (T) del objeto (2) determinados por la secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) .

8. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 7, y que incluye las etapas adicionales de:

rotar el objeto alrededor de un eje de rotaciïn (6) mientras que se lleva a cabo la secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) ; y

llevar a cabo la secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) de una forma tal que la secuencia de mediciones se lleva a cabo a travïs de la totalidad de una rotaciïn completa del objeto (2) alrededor del eje de rotaciïn (6) .

9. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye las etapas adicionales de:

tener un factor de calidad (MF) correspondiente para cada lectura y cada valor de espesor aproximado (RTW) ; determinar las frecuencias (F) de los valores de espesor aproximados (RTW) considerando los factores de calidad (MF) de tal modo que el peso asignado a cada valor de espesor aproximado (RTW) aumenta a medida que aumenta el factor de calidad (MF) .

10. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye las etapas adicionales de: tener un factor de calidad (MF) correspondiente para cada lectura y para cada valor de espesor aproximado (RTW) ; establecer un umbral de calidad mïnimo (MTmïn) ; y eliminar la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) cuyos factores de calidad (MF) son mïs bajos que el umbral de calidad mïnimo (MTmïn) .

11. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye las etapas adicionales 25 de:

establecer un umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y un umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que identifican un intervalo de bïsqueda que comprende el valor real del espesor (T) del objeto (2) ; y eliminar la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que son mïs bajos que el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) o mïs altos que el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) .

12. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 11, y que incluye las etapas adicionales de:

mecanizar la superficie del objeto (2) con el fin de reducir de manera gradual el espesor (T) del objeto (2) de acuerdo con un proceso de mecanizado conocido; determinar el estado de progreso del mecanizado superficial del objeto (2) como una funciïn del proceso de mecanizado; y actualizar de manera progresiva el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) como una funciïn del estado de progreso del mecanizado superficial del objeto (2) .

13. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 11, y que incluye las etapas adicionales de:

llevar a cabo mediciones del espesor (T) del objeto (2) en una secuencia; y actualizar el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que se usan para la 45 mediciïn actual del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) .

14. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 13, y que incluye las etapas adicionales de:

determinar, para cada mediciïn del espesor (T) del objeto (2) , la amplitud (LT) de un intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) ; y establecer el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que se usan para la mediciïn actual del espesor (T) del objeto (2) al restar de y aïadir a, respectivamente, el valor real del espesor

(T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) , la mitad de la 55 amplitud (LT) del intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) .

15. Mïtodo para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor (T) de un objeto (2) durante un mecanizado superficial del objeto (2) que reduce de manera gradual el espesor (T) del objeto (2) ; incluyendo el mïtodo las etapas de:

llevar a cabo por interferometrïa ïptica una pluralidad de lecturas del espesor (T) del objeto para obtener por lo menos un valor de espesor aproximado (RTW) de cada lectura y, en consecuencia, una pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW) ;

determinar un valor real del espesor (T) del objeto (2) mediante el anïlisis de la pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW) ; establecer un umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y un umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que definen un intervalo de bïsqueda que comprende el valor real del espesor (T) del objeto (2) ; y eliminar la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que son mïs bajos que el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) o mïs altos que el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) ;

estando el mïtodo caracterizado por que este incluye la etapa de:

actualizar de manera progresiva el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) como una funciïn de la reducciïn gradual del espesor (T) del objeto (2) .

16. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 15, en el que el mecanizado superficial del objeto (2) que reduce de manera gradual el espesor (T) del objeto (2) tiene lugar de acuerdo con un proceso de mecanizado conocido, incluyendo el mïtodo las etapas adicionales de:

determinar el estado de progreso del mecanizado superficial del objeto (2) como una funciïn de la ley de mecanizado; y actualizar de manera progresiva el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) como una funciïn del estado de progreso del mecanizado superficial del objeto (2) .

17. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 15, y que incluye las etapas adicionales de:

llevar a cabo una secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) ; y actualizar el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que se usan para la mediciïn actual del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) .

18. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 17, y que incluye las etapas adicionales de:

determinar, para cada mediciïn del espesor (T) del objeto (2) , la amplitud (LT) de un intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) ; y establecer el umbral de rechazo mïs bajo (Rmïn) y el umbral de rechazo mïs alto (Rmïx) que se usan para la mediciïn actual del espesor (T) del objeto (2) , al restar de y aïadir a, respectivamente, el valor real del espesor

(T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) , la mitad de la amplitud (LT) del intervalo de variaciïn del valor real del espesor (T) del objeto (2) determinado al final de la mediciïn anterior del espesor (T) del objeto (2) .

19. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 15 a 18, y que incluye las etapas adicionales de:

determinar una pluralidad de clases de espesor (C) que es lo bastante grande para comprender una parte significativa de los valores de espesor aproximados (RTW) ; clasificar los valores de espesor aproximados (RTW) con el fin de determinar, para cada clase de espesor (C) , una frecuencia (F) correspondiente que indica con quï frecuencia los valores de espesor aproximados (RTW) caen dentro de esa clase de espesor (C) ; determinar un grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (C) que estï compuesto por una o mïs clases de espesor (C) adyacentes, para las cuales la suma de las correspondientes frecuencias (F) define un mïximo

absoluto; y determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) como una funciïn de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen al grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (C) .

20. Mïtodo de acuerdo con la reivindicaciïn 19, y que incluye la etapa adicional de determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) mediante el cïlculo del promedio de la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que pertenecen al grupo preponderante (Gmïx) de clases de espesor (C) .

21. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 3, 4, 19 o 20, y que incluye las etapas adicionales de:

llevar a cabo una secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) ; determinar, mediante el anïlisis de una serie de mediciones subsiguientes, por lo menos un posible valor de espesor parïsito que siempre sigue siendo constante en la serie de mediciones subsiguientes y un nïmero promedio correspondiente de valores de espesor aproximados (RTW) del valor de espesor parïsito que pertenecen a la clase de espesor (C) que se corresponde con el valor de espesor parïsito; y eliminar de la clase de espesor (C) que se corresponde con el valor de espesor parïsito el nïmero promedio de valores de espesor aproximados (RTW) del valor de espesor parïsito.

22. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 15 a 21, y que incluye las etapas adicionales de:

tener un factor de calidad (MF) correspondiente para cada lectura y cada valor de espesor aproximado (RTW) ; establecer un umbral de calidad mïnimo (MTmïn) ; y eliminar la totalidad de los valores de espesor aproximados (RTW) cuyos factores de calidad (MF) son mïs bajos que el umbral de calidad mïnimo (MTmïn) .

23. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye las etapas adicionales de:

determinar por lo menos un criterio de rechazo de valores de espesor aproximados (RTW) ; eliminar la totalidad de los valores de espesor aproximados que no cumplen con el criterio de rechazo;

determinar un porcentaje de aceptabilidad (A%) que representa el nïmero de valores de espesor aproximados (RTW) que cumplen con el criterio de rechazo en comparaciïn con el nïmero total de valores de espesor aproximados (RTW) disponibles; y determinar el valor real del espesor (T) del objeto (2) solo si el porcentaje de aceptabilidad (A%) es mïs alto que un umbral de representatividad (RT) .

24. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, y que incluye las etapas adicionales de:

llevar a cabo una secuencia de mediciones del espesor (T) del objeto (2) , usando cada una de estas un nïmero previamente determinado y constante de lecturas del espesor (T) del objeto que se llevan a cabo por interferometrïa ïptica y se encuentran dentro de un intervalo de mediciïn; y trasladar a lo largo del tiempo, entre dos mediciones subsiguientes, el intervalo de mediciïn una extensiïn que es mïs pequeïa que la extensiïn del propio intervalo de mediciïn, de tal modo que un nïmero de lecturas del espesor (T) del objeto llevadas a cabo por interferometrïa pertenece tanto a la parte final de la mediciïn anterior

como a la parte inicial de la mediciïn subsiguiente.

25. Mïtodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el objeto (2) es una rebanada de material semiconductor.

26. Aparato para medir ïpticamente por interferometrïa el espesor (T) de un objeto (2) ; el aparato incluye:

un dispositivo de mediciïn (11) para una mediciïn de espesor por interferometrïa que lleva a cabo una pluralidad de lecturas del espesor (T) del objeto para obtener por lo menos un valor de espesor aproximado (RTW) de cada lectura y, en consecuencia, una pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW) ; y

una unidad de procesamiento (13) que estï configurada para llevar a cabo un mïtodo de mediciïn de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores.