HOJA FINA FOTOVOLTAICA Y METODO PARA FABRICARLA.

LA INVENCION PERTENECE A UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA HOJA FOTOVOLTAICA SOPORTADA POR UN SOPORTE

(14) Y QUE COMPRENDE UNA SERIE DE CAPAS FOTOVOLTAICAS (6) QUE CONJUNTAMENTE TIENEN LA CAPACIDAD DE GENERAR CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LA LUZ INCIDENTE, UNA CAPA DE RETROELECTRODO (10) EN UN LADO ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, Y UNA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE (2) EN EL OTRO LADO Y ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, CUYO PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PROPORCIONAR UN SUBSTRATO TEMPORAL, APLICANDO LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE (2), APLICAR LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS (6), APLICAR LA CAPA DEL RETROELECTRODO (10), APLICAR EL SOPORTE (14), ELIMINAR EL SUBSTRATO TEMPORAL, Y PREFERIBLEMENTE APLICAR UNA CAPA SUPERIOR (15) EN EL LADO DE LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE. LA INVENCION PERMITE LA FABRICACION POR LAMINACION DE UNA HOJA O DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO BASTO, MIENTRAS QUE AL MISMO TIEMPO SE HACE POSIBLE UTILIZAR CUALQUIER MATERIAL CONDUCTOR TRANSPARENTE DESEADO Y EL PROCESO DE DEPOSICION, SIN ALTERAR LA ACCION DE GENERACION DE LA CORRIENTE DE LAS CAPAS PV.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AKZO NOBEL N.V..

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Dirección: VELPERWEG 76,6824 BM.

Inventor/es: VAN ANDEL, ELEONOOR, MIDDELMAN, ERIK, SCHROPP, RUDOLF, EMMANUEL, ISIDORE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 24 de Septiembre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 18 de Agosto de 2004.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0236 (Texturas de superficie particulares)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0224 (Electrodos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0392 (comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes)

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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