FILM DE DIAMANTE EPITAXIAL DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO Y SU PREPARACION.

ESTA INVENCION ESTA DIRIGIDA A LA PRODUCCION DE UN DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL COMPUESTO DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO. SE CREE QUE EL PRODUCTO ES IGUAL QUE UN DIAMANTE EN LA SERIE DE APLICACION 448.469 PERO ESTA HECHO POR UN METODO DIFERENTE. EN ESTA INVENCION

, SE HACE CRECER UN CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO DE DIAMANTE EN UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO DIRECTAMENTE DEL CARBONO-12 O CARBONO-14 ISOTOPICAMENTE PURO. UN METODO PARA FORMAR DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO DE UN SOLO CRISTAL COMPRENDE LAS FASES DE EMPLAZAR EN UNA CAMARA DE REACCION UN SUSTRATO CRISTALINO CALENTANDOLO A UNA TEMPERATURA ELEVADA DE FORMACION DE DIAMANTE CVD. SE INTRODUCE EN LA CAMARA UNA MEZCLA GASEOSA DE HIDROGENO E HIDROCARBURO DE CARBONO-12 Y CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO. LA MEZCLA GASEOSA ES PARCIALMENTE DESCOMPUESTA EN LA CAMARA PARA FORMAR UNA CAPA DE DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL ISOTOPICAMENTE PURO SOBRE EL SUSTRATO DEPOSITADO ANTERIORMENTE. LA CAPA DE SUSTRATO CRISTALINO DE DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO ASI FORMADO PUEDE SER EXTRAIDO DEL SUSTRATO CRISTALINO. OTRO METODO PARA FORMAR DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO COMPRENDE LA DIFUSION DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO A TRAVES DE UN CATALIZADOR/SOLVENTE METALICO BAJO ALTA PRESION A UNA REGION QUE CONTIENE UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO PARA FORMAR DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO SOBRE DICHO SUSTRATO . EL SUSTRATO DE CRISTAL UNICO ES ESTABLE BAJO ALTA PRESION Y TEMPERATURA UTILIZADO DURANTE EL PROCESO DE DIFUSION. EL SUSTRATO DE CRISTAL UNICO PUEDE OPCIONALMENTE SER DE DIAMANTE, INCLUYENDO EL FILM DE DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO FORMADO POR EL METODO DE ESTA INVENCION, FORMANDOSE, DE ESTA MANERA, ESTRUCTURAS MULTICAPAS DE DIAMANTE .

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENERAL ELECTRIC COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1 RIVER ROAD,SCHENECTADY NEW YORK 12305.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 27 de Septiembre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL > PROCEDIMIENTOS QUIMICOS O FISICOS, p. ej. CATALISIS,... > Procedimientos que utilizan una presión superior... > B01J3/06 (Procedimientos que utilizan hiperpresiones, p. ej. para la formación de diamantes; Equipos apropiados, p. ej. muelas o matrices (B01J 3/04 tiene prioridad))
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/26 (Deposición solamente de carbono)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por reacción química... > C30B25/02 (Crecimiento de un lecho epitaxial)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por reacción química... > C30B25/10 (Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato)
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