ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, METODO DE FABRICARLA Y DISPOSITIVO QUE LA CONTIENE.
LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA ESTA BASADA EN UNA MESA QUE TIENE LADOS SUSTANCIALMENTE NO REENTRANTES.
PARA FABRICARLA, SE PRODUCE UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA INICIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO CON UNA MESA SOBRE EL MISMO, TENIENDO LA MESA UNA TIRA (16) CENTRAL DE AUTO-ALINEACION DE MATERIAL DE SUPRESION DEL CRECIMIENTO EN FASE DE VAPOR METALOORGANICO EN SU SUPERFICIE (15) MAS SUPERIOR. DESPUES SE HACEN CRECER CAPAS DE ENTERRAR (8, 9) POR MOVPE A UNO Y OTRO LADO DE LA MESA, SE RETIRA LA TIRA Y SE HACEN CRECER CAPAS DE RECUBRIMIENTO (10, 11) SOBRE LA MESA Y REGIONES CONTIGUAS DE LAS CAPAS DE ENTERRAR (8, 9). PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTO-ELECTRONICO, SE PUEDE FORMAR UNA VENTANA (18) DE SILICE EN LA SUPERFICIE (20) MAS SUPERIOR DE LAS CAPAS DE RECUBRIMIENTO (10, 11) Y SE PROPORCIONAN CONTACTOS (13, 14, 19) A TRAVES DE LA VENTANA (18) Y A LA CARA ALEJADA DEL SUSTRATO. SE DESCRIBEN DOS METODOS PARA FABRICAR LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA INICIAL. SE PUEDEN FABRICAR DISPOSITIVOS TALES COMO DETECTORES OPTICOS Y GUIAS DE ONDA USANDO LOS METODOS DE ACUERDO CON EL INVENTO. ES DE PARTICULAR IMPORTANCIA QUE SE PUEDEN FABRICAR LASERES SEMICONDUCTORES QUE FUNCIONEN EN UN SOLO MODO TRANSVERSAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: 81 NEWGAT STREET, LONDRES EC1A 7AJ.
Inventor/es: NELSON, ANDREW W, HOBBS, RICHARD E, LENTON, CHARLES G D, LEVLIN, JOHN W.
Fecha de Solicitud: 3 de Julio de 1986.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 12 de Febrero de 1988.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
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