ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE TIENE VARIAS UNIONES 'PIN',
CADA UNA FORMADA POR UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO K, UNA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, COMPRENDIENDO CADA UNA UN MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE COMPRENDE UN ELEMENTO DEL GRUPO IV COMO COMPONENTE PRINCIPAL, TENIENDO EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO UNA PRIMERA UNION 'PIN' QUE COMPRENDE CARBURO DE SILICIO MICROCRISTALINO (EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SIC MICROCRISTALINO) COMO COMPONENTE PRINCIPAL DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I Y UNA SEGUNDA UNION DE 'PIN' QUE COMPRENDE SILICIO MICROCRISTALINO (EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SI MICROCRISTALINO) COMO COMPONENTE PRINCIPAL DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, CARACTERIZADO PORQUE LA PRIMERA UNION DE 'PIN' SE PROPORCIONA MAS PROXIMA AL LADO DE LA INCIDENCIA DE LA LUZ QUE LA SEGUNDA UNION 'PIN'. CON LA PRESENTE INVENCION SE OBTIENE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE BAJO COSTE, CON POCO FOTODETERIORO Y CON UN ALTO RENDIMIENTO, DE CONVERSION FOTOELECTRICA Y UN METODO DE OBTENCION DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO CAPAZ DE CONFORMAR SILICIO MICROCRISTALINO DE TIPO I Y SIC MICROCRISTALINO A UNA TASA DE DEPOSICION FACTIBLE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.
Inventor/es: MATSUYAMA, JINSHO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 29 de Enero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/075 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
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