ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE TIENE VARIAS UNIONES 'PIN', CADA UNA FORMADA POR UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO K, UNA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, COMPRENDIENDO CADA UNA UN MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE COMPRENDE UN ELEMENTO DEL GRUPO IV COMO COMPONENTE PRINCIPAL, TENIENDO EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO UNA PRIMERA UNION 'PIN' QUE COMPRENDE CARBURO DE SILICIO MICROCRISTALINO

(EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SIC MICROCRISTALINO) COMO COMPONENTE PRINCIPAL DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I Y UNA SEGUNDA UNION DE 'PIN' QUE COMPRENDE SILICIO MICROCRISTALINO (EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SI MICROCRISTALINO) COMO COMPONENTE PRINCIPAL DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, CARACTERIZADO PORQUE LA PRIMERA UNION DE 'PIN' SE PROPORCIONA MAS PROXIMA AL LADO DE LA INCIDENCIA DE LA LUZ QUE LA SEGUNDA UNION 'PIN'. CON LA PRESENTE INVENCION SE OBTIENE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE BAJO COSTE, CON POCO FOTODETERIORO Y CON UN ALTO RENDIMIENTO, DE CONVERSION FOTOELECTRICA Y UN METODO DE OBTENCION DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO CAPAZ DE CONFORMAR SILICIO MICROCRISTALINO DE TIPO I Y SIC MICROCRISTALINO A UNA TASA DE DEPOSICION FACTIBLE.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.

Inventor/es: MATSUYAMA, JINSHO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 29 de Enero de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/075 (siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p.ej. células solares de sílice amorfo PIN)
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ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.