ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P

, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS DE SE Y DE TE EN UNA RELACION CUANTITATIVA SE/TE DE 1:9 A 3:7 EN NUMERO DE ATOMOS. EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO PRESENTA UNA MEJORADA EFICACIA DE CONVERSION FOTOELECTRICA PARA LA LUZ DE CORTA LONGITUD DE ONDA Y TIENE UNA TENSION A CIRCUITO ABIERTO ELEVADA. EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO NO ES CAUSA DE FATIGA ALGUNA INDUCIDA POR LA LUZ NO DESEABLE AUN DESPUES DE USO CONTINUO DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.

Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 13 de Marzo de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/075 (siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p.ej. células solares de sílice amorfo PIN)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/20 (comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/036 (caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0296 (comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe)
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