DISPOSITIVOS PARA CONTROLAR LA DIFERENCIA DE FASE EN SISTEMAS DE PROCESAMIENTO DE PLASMA.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA, PARA MODIFICAR UNA DIFERENCIA DE FASE ENTRE UNA PRIMERA FRECUENCIA DE RADIO

(RF) Y UNA SEGUNDA SEÑAL RF. UNA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA LA PRIMERA SEÑAL RF AL PRIMER ELECTRODO, Y UNA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA UNA SEGUNDA SEÑAL RF A UN SEGUNDO ELECTRODO DE UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA. LA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF ESTA ACOPLADA A LA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF COMO ESCLAVA EN UNA CONFIGURACION AMA-ESCLAVA. EL METODO INCLUYE UN PASO DE DETERMINACION DE UNA DIFERENCIA DE FASE ENTRE LA FASE DE LA PRIMERA SEÑAL RF Y LA DE LA SEGUNDA SEÑAL RF. EL METODO INCLUYE ADEMAS EL PASO DE COMPARAR LA DIFERENCIA DE FASE CON UNA SEÑAL DE PUNTO DE CONTROL DE FASE PARA PRODUCIR COMO SALIDA UNA SEÑAL DE CONTROL DIRIGIDA A LA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF, DONDE LA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF, EN RESPUESTA A LA SEÑAL DE CONTROL, MODIFICA LA FASE DE LA SEGUNDA SEÑAL RF PARA HACER QUE LA DIFERENCIA DE FASE SE APROXIME A UN VALOR REPRESENTADO POR LA SEÑAL DE PUNTO DE CONTROL DE FASE.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538-6470.

Inventor/es: DIBLE, ROBERT, D., BRADLEY, STEPHEN, G., JAFARIAN-TEHRANI, SEYED, JAFAR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 19 de Marzo de 1997.

Fecha Concesión Europea: 23 de Noviembre de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA... > Tubos de descarga provistos de medios o de un material... > H01J37/32 (Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR > TECNICA DEL PLASMA (tubos de haz iónico H01J 27/00;... > Producción del plasma; Manipulación del plasma... > H05H1/46 (utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas (H05H 1/26 tiene prioridad))

Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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