DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, CON BASTIDOR DE PLOMO SOLDABLE CON ESTAÑO.

UN DISPOSITIVO EMPAQUETADO CON UN BASTIDOR DE PLOMO, UN BASTIDOR DE PLOMO Y UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UN METAL BASE (20),

UNA CAPA DE NIQUEL (21) SOBRE EL METAL BASE (20), Y UN COMPUESTO PROTECTOR DE CAPAS METALICAS (22) SOBRE EL NIQUEL. EL COMPUESTO (22) INCLUYE, EN SUCESION DESDE LA CAPA DE NIQUEL, UNA CAPA DE PALADIO DE GANGA DE ORO BLANDO (33), UNA CAPA DE ALEACION PALADIO/NIQUEL (24), UNA CAPA DE PALADIO (25) Y UNA CAPA DE ORO (26). LA CAPA (23) DE GANGA DE ORO BLANDO O DE PALADIO, ACTUA ESENCIALMENTE COMO UN CAPA DE UNION (UN ADHESIVO), ENTRE LAS CAPAS DE ALEACION NI (21) Y PD-NI, Y COMO UNA CAPA QUE REFUERZA LA DISMINUCION EN POROSIDAD DE CAPAS POSTERIORES, LA CAPA (24) DE ALEACION PD-NI ACTUA COMO UNA TRAMPA PARA LOS IONES METALICOS BASE, LA CAPA PD (25) ACTUA COMO UNA TRAMPA PARA LOS IONES NI PROCEDENTES DE LA CAPA (24) DE ALEACION PD-NI, Y LA CAPA (26) DE ORO EXTERIOR REFUERZA SINERGICAMENTE LA CALIDAD RESPECTO A LA CAPA (25) DE PD. LAS DIFERENTES CAPAS SON EN GROSOR SUFICIENTES PARA EJECUTAR CADA UNA CON EFICACIA SUS DIFERENTES FUNCIONES, SEGUN LAS CONDICIONES DEL PROCESO Y USO. LA CAPA (23) DE GANGA DE AU BLANDO Y PD PUEDE TENER UN GROSOR DE 1-5 MICRONES, LA CAPA (24) DE ALEACION PD-NI ENTRE 4 Y 100 MICROPULGADAS, LA CAPA (25) DE PD DE 1 A 100 MICROPULGADAS Y LA CAPA (26) EXTERIOR DE ORO DE 1 A 100 MICROPULGADAS EN GROSOR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: ABYS, JOSEPH ANTHONY, KADIJA, IGOR VELJKO, KUDRAK JR., EDWARD JOHN, MAISANO JR., JOSEPH JOHN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 2 de Diciembre de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/495 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Bastidores conductores.

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