DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO AISLANTE METALICO (MISFET) (200),

CONSTRUIDO COMO UNA HETEROESTRUCTURA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE APERTURA DE BANDA ESTRECHA IN1-XALXSB.EL MISFET ESTA FORMADO POR CUATRO CAPAS SEMICONDUCTORAS (112 A 118) SITUADAS EN SERIE COMO SIGUE: UNA PRIMERA CAPA TIPO-P FUERTEMENTE BARNIZADA (112), UNA SEGUNDA CAPA TIPO-P DE APERTURA DE BANDA RELATIVAMENTE AMPLIA FUERTEMENTE BARNIZADA (114), UNA TERCERA CAPA TIPO-P LIGERAMENTE BARNIZADA (116), Y UNA CUARTA CAPA TIPO-N FUERTEMENTE BARNIZADA (118).EN LA CUARTA CAPA SE SITUAN UNA FUENTE (202) Y UN CONDUCTO (204); EN LA TERCERA CAPA SE SITUA UNA APERTURA (116/205); ENTRE LAS CAPAS TERCERA Y CUARTA SE INCLUYE UNA CONEXION N (POSITIVO) P (NEGATIVO) (124) Y; ENTRE LAS CAPAS SEGUNDA Y TERCERA SE INCLUYE UNA CONEXION P (POSITIVO) P (NEGATIVO) (122).LA SEGUNDA CAPA PROPORCIONA UNA BANDA DE CONDUCCION DE UNA BARRERA DE ENERGIA POTENCIAL DESDE UN FLUJO PORTADOR MENOR(ELECTRON) A UNA APERTURA (116/205) Y ES LO SUFICIENTEMENTE AMPLIA PARA PREVENIR LA CANALIZACION DE PORTADORES MENORES ENTRE ELLOS.LAS CAPAS PRIMERA Y SEGUNDA EN COMBINACION,PROPORCIONAN LA EXCLUSION DE CONTACTO P (POSITIVO)P(POSITIVO) CON LA TERCERA CAPA,Y LA CONEXION(124) PROPORCIONA UN FRAGMENTO DE CONTACTO, TAL QUE CUANDO LA OPERACION SE REALIZA CON POLARIDAD INVERSA,EXTRAE LOS PORTADORES MENORES DE LA ZONA DE LA TERCERA CAPA ADYACENTE AL COLECTOR (118/204).EN FUNCIONAMIENTO,LA TERCERA CAPA Y SU APERTURA (205)SE AGOTA DE PORTADORES DE CARGA Y POR ELLO MUESTRA UNA CORRIENTE DE DISPERSION MUY REDUCIDA.EN CONSECUENCIA,EL MISFET TIENE UN BUEN INTERVALO DINAMICO EN TERMINOS DE CORRIENTE CONDUCTORA CONTROLABLE.TAMBIEN ESTAN PROVISTOS UNOS TRANSISTORES BIPOLARES (300,400) Y DISPOSITIVOS RELACIONADOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOV. OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAI.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: WHITEHALL,LONDON SW1A 2HB.

Inventor/es: ASHLEY, TIMOTHY, ELLIOT, CHARLES THOMAS, WHITEHOUSE, COLIN RALPH.

Fecha de Publicación: 1 de Abril de 1997.

Fecha Solicitud PCT: 19 de Diciembre de 1991.

Fecha Concesión Europea: 22 de Enero de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L29/06 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L29/73 H01L 29/00 […] › Transistores bipolares de unión.
H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.

Países PCT: Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes, Canadá, Japón, Estados Unidos de América.

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