DISPOSITIVO PARA FORMAR NANOESTRUCTURAS SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA POR MEDIO DE HACES DE IONES.

Una unidad para la formación de nanoestructuras, o estructuras de escala nanométrica, sobre la superficie de una oblea semiconductora, que incorpora una cámara de vacío

(1), equipada con sistemas de extracción o escape y de recocido, un dispositivo de introducción (2) de oblea semiconductora (3), una fuente de iones de potencia controlada (5), un separador de masas (6), un cañón de electrones (9), un detector de electrones (11), un soporte (12) para la oblea y un medidor (13) de la corriente de iones, de tal manera que la unidad está equipada con una columna de transporte (7) del haz de iones, un analizador de masas de cuadripolo (10), un microscopio óptico (8) y una computadora (15); de tal modo que los ejes de la columna de transporte del haz de iones, del microscopio óptico y del cañón de electrones se encuentran situados en el mismo plano normal o perpendicular a la oblea semiconductora en la posición de trabajo, y se cortan o intersecan en un punto situado sobre la superficie anterior o frontal de la oblea; de tal manera que la columna de transporte del haz electrónico, el microscopio óptico y el cañón de electrones se encuentran situados sobre la cara frontal de la oblea, y el ángulo formando entre sus ejes se minimiza; y de tal modo que la computadora efectúa un barrido con el haz de iones a través de un conjunto de lugares, mediante el desplazamiento de la oblea a lo largo de las coordenadas de los lugares dados, y presenta visualmente imágenes de la superficie de la oblea obtenidas con electrones secundarios y hace posible la combinación de los haces de iones y de electrones sobre la superficie de la oblea.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SCEPTRE ELECTRONICS LIMITED.

Nacionalidad solicitante: Islas Vírgenes (Británicas).

Dirección: AKARA BUILDING 24, CASTRO STREET, WICKHAMS CAY I,ROAD TOWN, TORTOLA.

Inventor/es: SMIRNOV, VALERY KONSTANTINOVICH, KIBALOV, DMITRY STANISLAVOVICH.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 2 de Julio de 2001.

Fecha Concesión Europea: 6 de Octubre de 2004.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/265 (produciendo una implantación de iones)
  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > NANOTECNOLOGIA > NANOESTRUCTURAS FORMADAS POR MANIPULACION DE ATOMOS... > B82B3/00 (Fabricación o tratamiento de nanoestructuras por manipulación de átomos o moléculas individuales, colecciones limitadas de átomos o moléculas como unidades discretas.)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA... > Tubos de descarga provistos de medios o de un material... > H01J37/30 (Tubos de haz electrónico o iónico para tratamientos localizados de objetos)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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