DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO.

UN DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO (400) SE CARACTERIZA POR TENER FOTODIODOS (401,

402) CON SUS RESPECTIVAS PAREDES CUANTICAS (403, 404) EN REGIONES INTRINSECAS. LOS FOTODIODOS SE CONECTAN EN SERIE CON UN INTERRUPTOR DIPOLAR (406) Y UNA FUENTE DE POTENCIA ELECTRICA (405) PARA EMITIR UNOS HACES OPTICOS DE SALIDA QUE TIENEN VARIAS COMBINACIONES DE NIVELES DE ENERGIA QUE DEPENDEN DEL ESTADO DEL INTERRUPTOR BIPOLAR Y DE LA RELACION DE DOS HACES DE CONTROL OPTICO INCIDENTES EN LOS FOTODIODOS. EN UN ESTADO DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO CON EL INTERRUPTOR BIPOLAR EN ESTADO DE CONDUCCION, LOS DOS HACES DE SALIDA TIENEN NIVELES ALTO Y BAJO COMPLEMENTARIOS, QUE REPRESENTAN POR EJEMPLO LOS NIVELES LOGICOS ALTO Y BAJO "1" Y "0". EN UN SEGUNDO ESTADO, LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE SALIDA SON RESERVADOS, ASI MANIFIESTAN NIVELES DE SALIDA DE ENERGIA COMPLEMENTARIOS Y SIMETRICOS. EN EL TERCER ESTADO, CUANDO EL INTERRUPTOR BIPOLAR DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO ESTA EN ESTADO DE NO CONDUCCION, AMBOS HACES DE SALIDA MANIFIESTAN UN NIVEL DE ENERGIA BAJO Y EL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO ES INSENSIBLE A LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE CONTROL OPTICO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, NY 10022.

Inventor/es: LENTINE, ANTHONY LODOVICO.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1993.

Fecha Concesión Europea: 26 de Mayo de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02F3/00 FISICA. › G02 OPTICA. › G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES. › Elementos ópticos lógicos; Dispositivos biestables ópticos.
H01L27/14 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).
H01L31/10 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.

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