DISPOSITIVO EMF DE GAMA DE TEMPERATURA AMPLIADA.

Un sensor que genera una EMF en presencia de un gradiente de temperatura entre los extremos terminales del sensor,

que comprende: un primer componente formado a partir de al menos un primer metal noble y un óxido elegido en el grupo consistente en óxido de itrio, óxido de cerio, óxido de zirconio, y combinaciones de estos últimos; un primer conductor formado a partir de un primer material conductor, estando dicho primer conductor conectado eléctricamente a dicho primer componente; un segundo componente en contacto eléctrico con el citado primer componente, estando dicho segundo componente formado a partir de al menos un segundo metal noble, diferente del primer metal noble, y de un óxido elegido en el grupo consistente en óxido de itrio, óxido de cerio, óxido de zirconio, y combinaciones de estos últimos; y un segundo conductor formado a partir de un segundo material conductor, estando dicho segundo conductor conectado eléctricamente a dicho segundo componente, que se caracteriza porque dichos óxidos están endurecidos por dispersión dentro de los contornos de grano y de una porción de cuerpo principal de dichos primer y segundo metales nobles.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HARCO LABORATORIES INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 186 CEDAR STREET,BRANFORD, CT 06405-00100.

Inventor/es: HABBOOSH,SAMIR W.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 16 de Diciembre de 2004.

Fecha Concesión Europea: 15 de Octubre de 2008.

Clasificación PCT:

  • C22C5/04 QUIMICA; METALURGIA.C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS.C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › C22C 5/00 Aleaciones basadas en metales nobles. › Aleaciones basadas en un metal del grupo del platino.
  • G01K7/02 FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01K MEDIDA DE TEMPERATURAS; MEDIDA DE CANTIDADES DE CALOR; ELEMENTOS TERMOSENSIBLES NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (pirometría de las radiaciones G01J 5/00). › G01K 7/00 Medida de la temperatura basada en la utilización de elementos eléctricos o magnéticos directamente sensibles al calor (que dan un resultado diferente al valor instantáneo de la temperatura G01K 3/00). › utilizando elementos termoeléctricos, p. ej. termopares.
  • H01L35/20 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con metales exclusivamente (H01L 35/16, H01L 35/18 tienen prioridad).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

DISPOSITIVO EMF DE GAMA DE TEMPERATURA AMPLIADA.

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