DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE CARGA.

Dispositivo de transferencia de carga que comprende unos primer y segundo registros de desplazamiento de carga asociados en un sustrato de material semiconductor de un tipo de conductividad, que presenta una superficie principal, caracterizada por: un primer electrodo de almacenamiento

(22) que está superpuesto, con interposición de un aislante, a dicha superficie principal, un primer electrodo de transferencia (23) adyacente a dicho primer electrodo y que se superpone, con interposición de un aislante, a dicha superficie principal, un dispositivo (16,17) para aplicar tensiones fijas a dicho primer electrodo de almacenamiento y primer electrodo de transferencia para formar en dicho sustrato una primera región da almacenamiento (25) y una primera región de transferencia (26) respectivamente, teniendo el potencial superficial de dicha primera región de almacenamiento un primer nivel de almacenamiento y teniendo el potencial superficial de dicha primera región de transferencia un primer nivel de transferencia en la ausencia de portadores minoritarios en ella, siendo dicho primer de almacenamiento energéticamente inferior a dicho primer nivel de transferencia para los portadores minoritarios en dicho sustrato, un segundo electrodo de almacenamiento (31) adyacente a dicho primer electrodo de transferencia y que se superpone, con interposición de un aislante, a dicha primera superficie.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENERAL ELECTRIC COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1 RIVER ROAD, SCHENECTADY, NEW YORK 12305.

Fecha de Solicitud: 15 de Noviembre de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 1 de Octubre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > Memorias digitales en las que la información es... > G11C19/28 (que utilizan elementos semiconductores (G11C 19/14, G11C 19/36 tienen prioridad))
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