DISPOSICION DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION CON TECNOLOGIA CMOS.
PARA ALCANZAR UNA FUERZA DIELECTRICA MAYOR DE 20 VOLTIOS, LOS MONTAJES CONOCIDOS DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION PRODUCIDOS MEDIANTE TECNOLOGIA DMOS (MOS DE DOBLE DIFUSION),
EN LA CUAL SE PRODUCEN AREAS DE DESVIACION ALREDEDOR DE BIEN EL AREA DE FUENTE Y EL AREA DE DRENAJE MEDIANTE LA DIFUSION EN DOS ETAPAS DE LOS ATOMOS DE IMPURIFICACION. ESTA TECNOLOGIA VINCULA LOS PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES DURANTE LA FABRICACION. DE ACUERDO CON LA INVENCION, SOLAMENTE LA ZONA DE DESGUE ESTA RODEADA POR UN AREA DE DESVIACION, MIENTRAS QUE LA ZONA FUENTE ESTA EMPOTRADA DIRECTAMENTE EN EL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR. LOS TRANSISTORES DE ALTA TENSION PUEDEN POR LO TANTO OBTENERSE UTILIZANDO SOLAMENTE LOS PASOS DE PROCESO DE LA TECNOLOGIA ESTANDAR CMOS SIN PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES. DICHOS MONTAJES DE TRANSISTOR DE ALTA TENSION TENIENDO UNA FUERZA DIELECTRICA MAYOR DE 50 VOLTS, Y EN ESPECIAL REALIZACIONES MAYORES DE 100 VOLTS, SON PARTICULARMENTE APROPIADOS PARA SU UTILIZACION EN LAS INSTALACIONES INDUSTRIALES DE LA INDUSTRIA DEL AUTOMOVIL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: LEONRODSTRASSE 54,W-8000 MUNCHEN 19.
Inventor/es: ZIMMER, GUNTER, ROTH, WALTER, SELIGER, SIEGFRIED, DE WINTER, RUDI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 6 de Diciembre de 1989.
Fecha Concesión Europea: 5 de Mayo de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/092 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Japón, Estados Unidos de América.
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