DISPOSICION DE FABRICACION DE VARILLAS DE CRISTAL CON SECCION TRANSVERSAL DEFINIDA Y ESTRUCTURA POLICRISTALINA COLUMNAR POR MEDIO DE CRISTALIZACION CONTINUA SIN CRISOL.

Disposición de fabricación de varillas de cristal con sección transversal definida y estructura policristalina columnar por medio de cristalización continua sin crisol, que presenta al menos un crisol lleno de material de cristal y dotado de un conducto de salida central para transportar el contenido del crisol hasta una varilla de cristal regulable en altura que crece por debajo del crisol, sumergiéndose el conducto de salida central en el menisco de fusión sobre la superficie frontal superior de la varilla de cristal, medios para efectuar una carga continuamente regulable del crisol con material de cristal sólido, medios para alimentar la energía de fusión y medios para ajustar el frente de cristalización sobre la varilla de cristal creciente, caracterizada porque como medio común para efectuar simultáneamente la alimentación de la energía de fusión y el ajuste del frente de cristalización sobre la varilla de cristal creciente

(8) está dispuesta una bobinan de inducción plana (5) con unaabertura, siendo ajustables la distancia entre la bobina de inducción (5) y el crisol (4) y la distancia entre la bobina de inducción (5) y el frente de cristalización y estando estas distancias ajustadas de tal manera que por encima de la bobina de inducción (5) se funda el material de cristal (3) contenido en el crisol (4) y por debajo de la bobina de inducción (5) se cristalice el material fundido transportado a través del conducto de salida tubular central que se extiende a través de la abertura de la bobina de inducción (5) hasta la superficie de la varilla de cristal creciente (8), y se genere un campo de temperatura adaptado a la sección transversal deseada de la varilla de cristal (8), e inmediatamente por encima de la varilla de cristal creciente (8) está dispuesto un marco (6) que hace contacto con la masa fundida.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: PV SILICON FORSCHUNGS UND PRODUKTIONS GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WILHELM-WOLFF-STRASSE 25,99099 ERFURT.

Inventor/es: ABROSIMOV,NIKOLAI V, RIEMANN,HELGE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 18 de Julio de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > FUNDICION; METALURGIA DE POLVOS METALICOS > COLADA DE METALES; COLADA DE OTRAS MATERIAS POR LOS... > B22D11/00 (Colada continua de metales, es decir, obteniendo productos de longitud indefinida (estirado, extrusión del metal B21C))
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > C30B15/00 (Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00))
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > QUIMICA INORGANICA > ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos... > Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen... > C01B33/02 (Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B))
  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > FUNDICION; METALURGIA DE POLVOS METALICOS > COLADA DE METALES; COLADA DE OTRAS MATERIAS POR LOS... > Colada continua de metales, es decir, obteniendo... > B22D11/01 (sin empleo de moldes, p. ej. sobre superficies fundidas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/208 (utilizando un depósito líquido)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > C30B13/00 (Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales))
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por estirado fuera de... > C30B15/08 (Estirado hacia abajo)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por fusión de zona;... > C30B13/20 (por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente (C30B 13/18  tiene prioridad))
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DISPOSICION DE FABRICACION DE VARILLAS DE CRISTAL CON SECCION TRANSVERSAL DEFINIDA Y ESTRUCTURA POLICRISTALINA COLUMNAR POR MEDIO DE CRISTALIZACION CONTINUA SIN CRISOL.